李亮
- 作品数：17 被引量：22H指数：3
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响
- 本文采用低压MOCVD技术生长了AlGaN/GaN、AlGaN/AlN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性...
- 谢自力韩平施毅郑有炓张荣刘斌姬小利李亮修向前江若琏赵红龚海梅
- 关键词：布拉格反射镜薄膜生长汽相沉积
- 文献传递网络资源链接
- MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征被引量：2
- 2005年
- 本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。
- 李亮张荣谢自力张禹修向前刘成祥毕朝霞陈琳刘斌俞慧强韩平顾书林施毅郑有炓
- 关键词：MOCVD缓冲层
- MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜
- 本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)制备AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫外范围,分别由多周期的双层结构GaN/AlN,Al0.3Ga0.7N/AlN,Al0.5...
- 刘斌郑有炓张荣谢自力姬小利李亮周建军江若琏韩平龚海梅张禹
- 关键词：金属有机物化学气相淀积布拉格反射镜光学结构X射线衍射谱
- 文献传递网络资源链接
- InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象被引量：1
- 2006年
- 用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.
- 刘成祥谢自力韩平刘斌李亮符凯周建军叶建东文博王荣华张禹陈敦军江若琏顾书林施毅张荣郑有炓
- MOCVD制备AlGaN基多波段布拉格反射镜
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积系统(MOCVD)制备了AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫外范围,分别由多周期的双层结构GaN/AlN,Al0.3Ga0.7N/AlN,Al0.5Ga0.5N/AlN组成.这些多周期光学结构都生长在GaN支撑层上.AFM研究发现,这些布拉格反射镜具有平整光滑的表面,其粗糙度小于lnm;X射线衍射谱和截面透射电镜图片表明它们具有完整的周期重复性和清晰的界面.利用可见-紫外光谱仪研究这些布拉格反射镜的反射谱,发现反射率和半峰宽不仅与周期数有关也与两种材料的折射率系数差有关.
- 刘斌张荣谢自力姬小利李亮周建军江若琏韩平郑有炓郑建国龚海梅
- 关键词：金属有机物化学气相淀积布拉格反射镜反射率
- m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性被引量：1
- 2007年
- 用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
- 谢自力张荣韩平刘成祥修向前刘斌李亮赵红朱顺明江若琏周圣明施毅郑有炓
- 关键词：MOCVDGAN
- AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的设计与表征被引量：5
- 2005年
- 设计了反射中心波长为500nm的A l0.3Ga0.7N/GaN和A lN/GaN两种分布布拉格反射镜(DBR),并采用光学传递矩阵方法对其光谱反射率进行了理论上的模拟。采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了样品。实际测量的样品反射谱中有明显的反射峰,但峰值波长与理论设计有偏差,峰值反射率也比理论设计值偏低。SEM和AFM测量结果表明:这是由生长层厚与设计的偏差和界面不平整引起的。
- 姬小利江若琏李亮谢自力周建军刘斌韩平张荣郑有炓龚海梅
- 关键词：氮化镓分布布拉格反射镜
- AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长被引量：3
- 2005年
- 文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的A lxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备。通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了A lxGa1-xN/GaN DBR的结构质量、厚度和表面形貌。
- 李亮张荣谢自力张禹修向前姬小利刘成祥毕朝霞陈琳周建军刘斌韩平江若琏顾书林施毅龚海梅郑有炓
- 关键词：ALGANGAN分布布拉格反射镜MOCVD
- 材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响
- 2006年
- 采用低压MOCVD技术生长了A lGaN/GaN、A lGaN/A lN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DBR的性能影响很大。通过材料的优化生长,获得了反射率高达93.5%、中心波长和发射率都接近理论值的A lGaN/A lN DBR材料。
- 谢自力张荣刘斌姬小利李亮修向前江若琏龚海梅赵红韩平施毅郑有炓
- 关键词：分布布拉格反射镜反射率
- AlGaN/GaN分布布拉格反射镜的MOCVD生长
- 文中利用MOCVD方法,采用高质量GaN作为缓冲层,在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同组分的AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)的制备.通过XRD、SEM、AFM、反射谱等测量分析手段,研究了Al...
- 李亮周建军刘斌韩平江若琏顾书林施毅郑有炓张荣谢自力修向前姬小利刘成祥毕朝霞陈琳龚海梅张禹
- 关键词：ALGANGAN分布布拉格反射镜MOCVD
- 文献传递网络资源链接
