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李华高

作品数：29 被引量：34H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 12篇探测器
  • 10篇红外
  • 8篇红外探测
  • 7篇红外探测器
  • 6篇铂
  • 5篇势垒
  • 5篇纳米
  • 5篇CCD
  • 4篇光腔
  • 4篇硅
  • 3篇电阻
  • 3篇电阻温度系数
  • 3篇退火
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基势垒
  • 3篇面阵
  • 3篇纳米线
  • 3篇截止波长
  • 3篇焦平面
  • 3篇光栅

机构

  • 17篇中国电子科技...
  • 12篇重庆光电技术...
  • 5篇电子科技大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇重庆邮电大学

作者

  • 29篇李华高
  • 6篇熊平
  • 5篇刘爽
  • 3篇熊平
  • 3篇宁永功
  • 3篇唐遵烈
  • 3篇李立
  • 2篇白雪平
  • 2篇刘永智
  • 2篇陈红兵
  • 1篇杨家德
  • 1篇易萍
  • 1篇龙飞
  • 1篇杨亚培
  • 1篇王岭雪
  • 1篇周旭东
  • 1篇蔡毅
  • 1篇袁礼华
  • 1篇杨子文
  • 1篇杨忠孝

传媒

  • 10篇半导体光电
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇全国光电技术...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 2篇2000
共 29 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
黑硅层制作方法及黑硅PIN光电探测器制备方法
一种黑硅层制作方法，1）将硅衬底平放于下电极的上侧面上，硅衬底的上侧面记为加工面，2）所述上电极上设置有多个通气孔，常温条件下，向刻蚀腔内通入六氟化硫和氧气，并使六氟化硫和氧气通过通气孔吹拂到加工面上，六氟化硫流量为50...
廖乃镘李仁豪向鹏飞黄烈云李华高
文献传递
Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si红外探测器的研制
2009年
使用超高真空磁控溅射系统在p—Si上制备了铂铱硅（PtxIr1-xSi）薄膜，并制作了PtxIr1-xSi／p-Si红外探测器，研究了探测器在3～5btm波段的特性，结果表明，PtxIr1-xSi／p-Si势垒高度为0．177eV，相应红外探测器截止波长为7．0μm。与普通铂硅红外探测器相比，铂铱硅红外探测器在3～5μm中波红外波段响应明显增强。
李华高刘慧白雪平刘英丽王艳
关键词：肖特基势垒红外探测器焦平面阵列
非致冷红外探测用VOx薄膜XPS价带谱研究
2005年
介绍了用XPS技术研究反应溅射制备的VOx薄膜；结果表明该方法制备的VOx薄膜大多是不同价态的混合物，其物相、成分与氧分压密切相关。XPS价带谱研究发现VO2+δ物相的薄膜最利于非致冷红外探测。
宁永功刘爽杨忠孝詹思瑜廖思舜李华高
关键词：XPS
室温红外探测用VOx薄膜的工艺研究
2005年
用反应溅射法制备了VOx薄膜。利用XPS分析技术，研究了薄膜组分与氧分压、基片材料、沉积厚度等工艺条件的关系。结果表明本工艺得到V2O5、VO2、V2O3复相膜，氧气流量大和较厚薄膜容易获得高价态V，衬底表面吸附氧会改变薄膜组分，V2O5、VO2含量高的薄膜电阻温度系数相对较高，V2O3不利于红外探测。
刘爽宁永功赵凯生刘永智李华高熊平
关键词：室温红外探测电阻温度系数
CCD用透明栅电极的制作被引量：1
2010年
采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加。
李华高赵梁博邓涛曾武贤向华兵熊玲
关键词：ITO薄膜CCD
铂硅纳米线红外探测器及其制作方法
一种铂硅纳米线红外探测器，所述铂硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层、铂硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层，P型外延硅衬底层、铂硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层依次层叠在一起；所述铂硅薄膜光敏层即为铂...
李华高熊平钟四成
文献传递
具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构及制作方法
本发明公开了一种具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构及制作方法。所述具有超薄铂硅虚相栅电极的CCD像元结构包括衬底、外延层、沟道和沟阻，所述外延层设在衬底上，所述沟道和沟阻均设在外延层上，所述沟道的两侧均设有沟阻，所述...
李华高王小东雷仁芳
文献传递
增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法
本发明属于光电技术领域，具体为增强硅探测器近红外响应的微光栅光腔结构及其制造方法。微光栅光腔制作过程集成在硅探测器制作工艺中，与其制作工艺兼容。方法包括对硅探测器圆片进行预处理，在探测器圆片背面形成铬光栅；将铬光栅转移到...
李华高郭培
文献传递
单片式可见光/红外光双光谱焦平面探测器
本发明公开了一种单片式可见光/红外光双光谱焦平面探测器，它包括：可见光像元、可见光像元收集二极管、红外感光像元、红外感光像元收集二极管、四相CCD转移栅上的电极V1、V2、V3、V4，各个电极按上述顺序从上至下排列并构成...
熊平李立鲍峰李华高李平李仁豪唐遵烈翁雪涛
文献传递
制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法
本发明公开了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法，该方法先在工艺片上制作出黑硅，然后通过低温工艺在黑硅表面制作出钝化层；本发明的有益技术效果是：提出了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法，该方法可以在低温条件下使黑硅表面钝化...
李华高雷仁方廖乃镘杨修伟郭培
文献传递
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