李静
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中华人民共和国工业和信息化部更多>>
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- SI-GaAs材料微区均匀性对门电路器件性能影响
- 随着大规摸集成电路集成度的迅速提高,器件工艺对材料的性能提出了更高的要求,过去的常规参数测量不足以表征GaAs材料质量,材料的微区均匀性已成为限制集成电路发展的重要因素。本文采用了不同的测量手段结合门电路器件工艺,研究了...
- 汝琼娜李光平李静何秀坤
- 关键词：门电路SI-GAAS
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- 实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量系统
- 实用型硅单晶中氧、碳含量自动测量分析软件是WQF系列付里叶变换红外光谱仪的中文显示专用软件,主要用于硅单晶(直拉硅、区熔硅)中氧、碳含量测量。
- 李光平李静王良汝琼娜何秀坤武惠忠杨学军
- 关键词：自动测量
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- 化合物半导体材料性能表征技术
- 国外在砷化镓材料、器件及材料与器件之间关系的研究方面进展很快.国内有关研究单位在这方面做了一些工作,试图找出材料参数与电路参数之间的对应关系.
- 何秀坤李光平汝琼娜李静
- 关键词：砷化镓半导体材料化合物半导体
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- 硅单晶电阻率测定方法
- 本方法规定了用直排四探针法测量硅单晶电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶电阻率有及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距的4倍的单晶圆片的电阻...
- 李静何秀坤张继荣段曙光
- 关键词：电阻率晶体硅半导体材料半导体
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- 快速扫描光荧光谱表征GaAs的技术研究
- 该文详细研究了快速扫描光荧光谱(PLMapping)在表征半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料中的应用,实验结果表明SI-GaAs晶片的PL强度及Mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系,所以在为制备器件筛选优质的...
- 李光平汝琼娜李静何秀坤王寿寅陈祖祥
- 关键词：光致发光光谱砷化镓材料
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- 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
- 本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单晶硅中含量为1×LO<UP LL> AT?CM <UP -3>～5×10<UP 15> AT?...
- 李静何秀坤蔺娴
- 关键词：硅晶体半导体
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- 电子信息产品部件及材料中有毒有害物质的检测技术
- 王奕李静
- 关键词：有毒有害物质电子信息产品
- 硅中代位碳原子含量.红外吸收测量方法
- 本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω?CM的P型硅片及电阻率高于1Ω?CM的N型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率高于0.1Ω?CM的硅片中代位碳...
- 何秀坤李静段曙光梁洪
- 关键词：半导体晶体硅碳
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