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王丽娟

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇应变量子阱
  • 2篇双波长
  • 2篇锑化物
  • 2篇量子效率
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇盖层
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇波长

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇邢军亮
  • 2篇任正伟
  • 2篇张宇
  • 2篇牛智川
  • 2篇王娟
  • 2篇徐应强
  • 2篇王丽娟
  • 2篇王国伟

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法
本发明公开了一种双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法，该激光器由下至上依次包括n型电极、n型衬底、缓冲层、第一n型下限制层、第一下波导层、第一有源区、第一上波导层、第一p型上限制层、隧穿pn结、第二n型下限制层...
邢军亮张宇王国伟王娟王丽娟任正伟徐应强牛智川
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法
本发明公开了一种双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法，该激光器由下至上依次包括n型电极、n型衬底、缓冲层、第一n型下限制层、第一下波导层、第一有源区、第一上波导层、第一p型上限制层、隧穿pn结、第二n型下限制层...
邢军亮张宇王国伟王娟王丽娟任正伟徐应强牛智川
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