王守国
- 作品数：17 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>
- 金属-有机骨架材料中的多铁性与磁电耦合效应
- 金属-有机骨架(Metal-Organic Frameworks,MOFs)是由金属离子被有机分子连接形成长程有序晶体结构的一类新材料。它具有制备灵活、骨架柔性、易裁剪性以及易形成高度各向异性和低晶格对称性结构等方面的优...
- 孙阳王伟田英闫丽琴柴一晟王守国韩秀峰
- 关键词：多铁性磁电耦合金属-有机骨架
- 新型磁性隧道结材料及其隧穿磁电阻效应被引量：15
- 2013年
- 典型的磁性隧道结是"三明治"结构,即由上下两个铁磁电极以及中间厚度为1 nm量级的绝缘势垒层构成。当外加磁场使两铁磁电极的磁矩由平行态向反平行态翻转时,隧穿电阻会发生低电阻态向高电阻态的转变。自从1995年发现室温隧穿磁电阻(TMR)以来,非晶势垒的AlOx磁性隧道结在磁性随机存储器(MRAM)和磁硬盘磁读头(Read Head)中得到了广泛的应用,2007年室温下其磁电阻比值可达到80%。下一代高速、低功耗、高性能的自旋电子学器件的发展,迫切需要更高的室温TMR比值和新型的调制结构。2001年通过第一性原理计算发现:由于MgO(001)势垒对不同对称性的自旋极化电子具有自旋过滤(Spin Filter)效应,单晶外延的Fe(001)/MgO(001)/Fe(001)磁性隧道结的TMR比值可超过1 000%,随后2004年在单晶或多晶的MgO磁性隧道结中获得室温约200%的TMR比值,2008年更是在赝自旋阀结构CoFeB/MgO/CoFeB磁性隧道结中获得高达604%的室温TMR比值。伴随着新势垒材料的不断发现和各种磁性隧道结结构的优化,共振隧穿和自旋依赖的库仑阻塞磁电阻等新效应以及磁性传感器、磁性随机存储器和自旋纳米振荡器及微波检测器等新器件逐渐成为科学和工业界所关注的研究与应用热点。对磁性隧道结(MTJ)材料及其器件应用研究和进展进行了简要介绍。
- 韩秀峰刘厚方张佳师大伟刘东屏丰家峰魏红祥王守国詹文山
- 关键词：巨磁电阻效应磁性隧道结磁随机存储器
- 一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜
- 本发明提供了一种基于磁性斯格明子层的磁性多层膜，包括依次设置的衬底、缓冲层、钉扎层、隔离层、自由层、覆盖层，其中，所述自由层为磁性斯格明子层或者其钉扎层具有磁性斯格明子钉扎层，并将此基于磁性斯格明子层的磁性多层膜为基础制...
- 李大来王守国陶丙山韩秀峰
- 文献传递
- MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究被引量：3
- 2009年
- 在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展。这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值。
- 王琰张佳张晓光王守国韩秀峰
- 关键词：自旋电子学第一性原理计算
- 单晶外延Fe/MgO/Fe磁性隧道结中界面结构与自旋相关输运特性的研究
- 王守国李大来魏红祥韩秀峰
- Zn掺杂调控单晶外延磁性隧道结Fe/MgZnO/Fe势垒带隙宽度
- ＜正＞MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻（TMR）比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒的带隙宽度为7.8 eV,从而导致结电阻与结面积的乘积（RA）较大,成为限制其广泛应用的瓶颈之一。ZnO薄膜的带隙宽...
- 王守国
- Zn掺杂调控单晶外延磁性隧道结Fe/MgZnO/Fe势垒带隙宽度
- MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒的带隙宽度为7.8 eV,从而导致结电阻与结面积的乘积(RA)较大,成为限制其广泛应用的瓶颈之一。ZnO薄膜的带隙宽度为3...
- 王守国
- 一种垂直磁各向异性的多层膜
- 本发明涉及垂直磁各向异性的多层膜，包括：基片、底层、下磁性层、中间层、上磁性层和覆盖层；下磁性层和上磁性层中至少一个是复合磁性层，复合磁性层包括主体层和过渡层，主体层采用垂直磁各向异性材料制作，过渡层采用自旋极化率高于所...
- 马勤礼魏红祥王守国韩秀峰
- 文献传递
- 单晶Fe/MgZnO/Fe磁性隧道结中势垒带宽的调控
- MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒层的带隙宽度为7.8eV,从而导致结电阻与结面积的乘积(RA)较大,成为限制其广泛应用的瓶颈之一.铅锌矿结构的ZnO薄膜的...
- 李大来马勤礼王守国杨光刘家龙姜俊魏红祥韩秀峰
- 一种垂直磁各向异性的多层膜
- 本发明涉及垂直磁各向异性的多层膜，包括：基片、底层、下磁性层、中间层、上磁性层和覆盖层；下磁性层和上磁性层中至少一个是复合磁性层，复合磁性层包括主体层和过渡层，主体层采用垂直磁各向异性材料制作，过渡层采用自旋极化率高于所...
- 马勤礼魏红祥王守国韩秀峰
