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王本川

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:南开大学泰达学院微电子研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇增强型
  • 2篇瞬态响应
  • 2篇LDO
  • 1篇电容
  • 1篇片上系统
  • 1篇稳压
  • 1篇稳压器
  • 1篇线性稳压器
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇CMOS

机构

  • 2篇南开大学

作者

  • 2篇王本川
  • 1篇戴宇杰
  • 1篇吕英杰
  • 1篇张小兴

传媒

  • 1篇南开大学学报...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种高压、低功耗、瞬态响应增强型CMOS线性稳压器(英文)
2010年
提出了一种用于电源管理系统的高电压、低功耗CMOS线性稳压器。通过使用所提出超级源极跟随器,位于功率管栅极的内部非主极点能够很容易地被推到单位增益带宽以外而不消耗大的静态电流,因此,有效减小了内部补偿电容;通过使用动态频率补偿技术,稳压器能在整个负载电流范围内稳定。提出的超级源极跟随器通过在功率管栅极处增加充电通道和放电通道改善了瞬态响应。该方法在降低功耗的同时,得到了快速且安全的上电瞬态响应和快速的负载变化瞬态响应.使用0.5μm高压n阱CMOS工艺,外接R_(ESR)为10 mΩ的0.47μF负载电容时,仿真发现,该稳压器表现出良好的稳定性和瞬态响应,而仅消耗10μA的静态电流.
王本川戴宇杰张小兴吕英杰
关键词:稳压器LDO瞬态响应
一种瞬态响应增强型片上电容LDO的研究与设计
近年来,由于各种便携式电子产品的普及,电池供电的电源管理类芯片需求量不断增大,对电源管理类芯片性能的要求也不断提高。本文从电源管理的角度出发,深入调研了低压降稳压器(LDO)的应用与特性。传统LDO稳压器作为一块独立的芯...
王本川
关键词:片上系统芯片设计
文献传递
共1页<1>
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