田淑芬
- 作品数：28 被引量：16H指数：3
- 供职机构：山东师范大学传媒学院代教育技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程天文地球更多>>
- 一种延长功率晶体管寿命的工艺
- 一种延长功率晶体管寿命的工艺。本发明涉及功率晶体管集电极欧姆接触形成工艺。本发明针对已有工艺中管芯背部金属化时，上粘附层金属与硅芯片低温下不能形成金属硅化物的缺点。本发明集电极上粘附层采用金属铌(Nb)，并在溅射装置中低...
- 田淑芬薛成山樊锡君庄惠照
- 适用于开管镓扩散的石英管的制造工艺
- 一种适用于开管镓扩散的石英管制造工艺，利用Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>膜可屏蔽镓元素的原理，在CVD炉中通入硅烷和氨气。使之发生热分解反应，在普通石英扩散管壁上生成一层Si<Sub>3</Sub...
- 田淑芬薛成山
- 初始相干性注入系统中的无反转或反转激光增益被引量：1
- 1999年
- 本文提出一个有初始相干性注入的开放Ｖ型三能级系统模型。这个系统可以展示从较高激发态到基态的无粒子数反转激光增益，也可以用来实现粒子数反转激光，同时这个系统还可以产生无吸收的较大折射率。
- 樊锡君田淑芬李天平
- 关键词：相干性无粒子数反转激光增益
- 失谐对开放的无反转激光系统时间演化的影响(英文)
- 2001年
- 研究了探测场或驱动场失谐情况下开放的 Λ型无粒子数反转激光系统中原子响应的时间演化规律 ,并与探测场和驱动场都共振时的演化规律进行了比较。我们发现失谐对时间演化规律有显著的影响 ;当驱动场或探测场失谐时 ,原子对探测场和驱动场色散的响应不再为零 ,双光子相干不再是纯实量 ;探测场失谐的变化将使粒子布居和驱动场增益 (吸收 )的时间演化规律明显改变 ;随着失谐的增大 ,探测场增益 (吸收 )、色散和双光子相干随时间的演化行为逐渐偏离标准阻尼振子的演化规律 ;驱动场色散驱动场失谐量的增加而振荡时间变长 。
- 樊锡君田淑芬刘杰李健
- 关键词：开放系统失谐激光系统
- Al的能量吸收边缘和电子粒子数布居分析
- 1999年
- 给出了Ａｌ电子能量损失谱吸收边缘的理论解释、电子粒子数布居分析及不同散射分截面计算结果的比较．能量吸收边缘被归一化为每原子每电子伏的散射截面．对散射截面的贡献来自三个方面．第一是来自应用推广的Ｈüｃｋｅｌ带模型得到的电子从内层向价层的跃迁；第二是来自利用电子气模型得到的电离末态；第三是来自激发原子附近的原子产生的外行平面波弹性反向散射．
- 田淑芬樊锡君于洛平J.S.BOWR.W.CARPENTERS.H.LIN
- 关键词：铝布居分析
- 开放系统中位相涨落对增益和色散的影响(英文)
- 2001年
- 本文研究了在开放的简单三能级无粒子数反转激光系统中驱动场位相涨落对增益和色散的影响。发现 ,驱动场位相涨落将导致有限线宽。随着这个线宽的增加 ,增益和色散将单调地减小 ;当线宽不为零时 ,在零吸收时系统能够产生的大折射率 ,这与从封闭的
- 樊锡君肖健田淑芬国承山
- 关键词：开放系统增益色散
- 失谐对开放的Λ型系统无粒子数反转激光增益的影响被引量：8
- 1999年
- 本文使用开放型三能级无粒子数反转激光模型，从原子密度算符运动方程出发，讨论了定态情况下驱动场和探测场失谐对激光增益和折射率的影响。理论分析表明：若驱动场Ｒａｂｉ频率较小，只有探测场共振时才能得到最大的增益；调整探测场的失谐可以获得无吸收高折射率；驱动场Ｒａｂｉ频率较大而达到某一阈值后，调整探测场的失谐将出现特别增益区。驱动场失谐的变化对折射率产生的影响比对增益更为显著。以上结论与封闭型三能级无粒子数反转激光系统中的结论有很大的不同，尤其后者不存在特别增益区。
- 田淑芬李天平樊锡君
- 关键词：失谐增益
- 高斯光束驱动的单输出环形腔光学双稳系统
- 1989年
- 研究了高斯光束驱动的单输出环形腔光学双稳系统.用平均场近似方法得到纯吸收和共振情况下的定态方程,并进行了线性稳定性分析.结果表明,输入输出光强定态曲线仍呈现反向S型,但高斯光束驱动情况中的失稳范围与平面波光束驱动情况有明显不同.
- 樊锡君田淑芬
- 关键词：高斯光束光学双稳态环形腔
- 开放的ladder型无反转激光系统的稳定性分析浙江大学信息学院院长基金的资助。被引量：1
- 2003年
- 利用开放的ladder型无反转激光系统的密度矩阵运动方程组的定态解和激光场运动方程分析了系统的稳定性。结果表明:如果增益大于激光腔损耗,则零解是不稳定的;如果增益小于激光腔损耗,则零解是稳定的;如果增益大于激光腔损耗,则非零解是稳定的。
- 田淑芬张郡亮卢洪武樊锡君
- 关键词：无粒子数反转激光定态解增益稳定性
- 功率晶体管的制造方法
- 本发明涉及功率晶体管的制造方法，其主要特点是：(1)集电极多层金属化时，上粘附层所采用的金属与硅芯片低温下形成金属硅化物；(2)阻挡层分别与上粘附层和下粘附层之间溅射形成交叉层；(3)将管芯焊在管壳上时采用了新软焊料，采...
- 薛成山田淑芬庄惠照陆大荣任忠祥
