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文献类型

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  • 1篇专利

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇低气压
  • 1篇低温化学
  • 1篇镀膜
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  • 1篇光谱
  • 1篇放电
  • 1篇放电等离子体
  • 1篇放电电极
  • 1篇放电管
  • 1篇半导体

机构

  • 3篇大连理工大学

作者

  • 3篇石德权
  • 2篇张庆瑜
  • 2篇马春雨
  • 2篇苗春雨
  • 1篇胡北辰
  • 1篇梁红伟
  • 1篇郝胜智
  • 1篇周楠
  • 1篇郑强

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
低气压管式放电等离子体及制备非晶氮化硅薄膜研究
低温等离子体技术是材料改性和薄膜合成的重要手段之一,受到各国学者的广泛关注。一种新型等离子体放电技术的出现往往会推动材料改性和薄膜合成技术发生革命性改变。近年来受到广泛关注的大气压射流等离子体放电可以产生高活性的等离子体...
石德权
关键词:半导体材料等离子体等离子体增强化学气相沉积
一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置
本发明属于薄膜制备领域,涉及一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置,包括等离子体放电电极、真空绝缘密封装置、放电管、两个进气管,细管容器、细管容器固定装置、真空位移控制装置和真空室。等离子体放电电极固定在真空绝缘密封...
张庆瑜马春雨苗春雨石德权
文献传递
表面态调控对GaN荧光光谱的影响
2014年
采用高阻本征GaN薄膜,通过H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控,研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响.研究发现,H3PO4刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大,但显著增加可见荧光的强度;经SiOxNy薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12—13倍,同时对可见荧光有明显增加.通过比较H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化的室温和低温荧光光谱,探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理.
周楠郑强胡北辰石德权苗春雨马春雨梁红伟郝胜智张庆瑜
关键词:GAN荧光光谱
共1页<1>
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