苗春雨
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 反应射频磁控溅射法制备HfTaO薄膜的热稳定性和光学性能
- 2012年
- 采用反应射频磁控溅射技术制备HfTaO薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的微结构,通过紫外-可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。结果表明,随着Ta掺入量(10%,26%,50%)的增加,HfTaO薄膜的结晶化温度分别为800、900、950℃,Ta掺入量继续增加到72%,经过950℃退火处理的HfTaO薄膜仍然保持非晶态,具有优良的热稳定性。AFM形貌分析显示非晶HfTaO薄膜表面非常平整。在550nm处薄膜折射率n随着Ta掺入量的增大而增大,n的变化区间为1.90～2.15。同时HfTaO薄膜的光学带隙Eg随着Ta掺入量的增大而逐渐减小,Eg的变化区间为4.15～5.29eV。
- 马春雨苗春雨李树林王文娟张庆瑜
- 关键词：磁控溅射光学性能热稳定性
- Ta或La掺杂HfO2薄膜结构及其性能研究
- 在多种多样的电介质材料中，高介电常数（高k）材料起着至关重要的作用，而在众多高k栅介质材料中，HfO2凭借其介电常数较高、禁带宽度较大及热稳定性良好的优势，很有希望作为替代SiO2的新型高k栅介质材料。但是由于纯HfO2...
- 苗春雨
- 关键词：反应磁控溅射
- 文献传递
- 射频磁控溅射制备HfLaO薄膜结构和光学性能研究
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术制备HfLaO薄膜,利用X射线衍射（XRD）分析了薄膜的微结构,通过紫外可见光分光光度计测量了薄膜的透过谱,计算了薄膜的折射率和禁带宽度,利用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌.结果表明：沉积态HfLaO（La：25%～37%）薄膜均为非晶态,随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的结晶化温度逐渐升高,HfLaO（La～37%）薄膜经900℃高温退火后仍为非晶态,具有优良的热稳定性,AFM形貌分析显示非晶薄膜表面非常平整.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的透射率先降后增,在可见光范围薄膜均保持较高的透射率（82%以上）.HfLaO薄膜的折射率为1.77~1.87.随着La掺入量的增加,HfLaO薄膜的折射率呈先增后降的变化趋势,同时HfLaO薄膜的Eg逐渐降低,分别为5.9eV（La～17%）、5.87eV（La～25%）、5.8eV（La～33%）和5.77eV（La～37%）.
- 李智苗春雨马春雨张庆瑜
- 关键词：磁控溅射光学性能
- 一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置
- 本发明属于薄膜制备领域，涉及一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置，包括等离子体放电电极、真空绝缘密封装置、放电管、两个进气管，细管容器、细管容器固定装置、真空位移控制装置和真空室。等离子体放电电极固定在真空绝缘密封...
- 张庆瑜马春雨苗春雨石德权
- 文献传递
- 表面态调控对GaN荧光光谱的影响
- 2014年
- 采用高阻本征GaN薄膜,通过H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化方法对GaN薄膜进行表面态调控,研究了表面态调控对GaN薄膜光致荧光光谱的影响.研究发现,H3PO4刻蚀对改善GaN薄膜的紫外荧光发射作用不大,但显著增加可见荧光的强度;经SiOxNy薄膜表面钝化的GaN紫外荧光量子效率增加12—13倍,同时对可见荧光有明显增加.通过比较H3PO4刻蚀和SiOxNy薄膜钝化的室温和低温荧光光谱,探讨了表面态调控对GaN紫外荧光、蓝带荧光和黄带荧光的影响及相关物理机理.
- 周楠郑强胡北辰石德权苗春雨马春雨梁红伟郝胜智张庆瑜
- 关键词：GAN荧光光谱
- 射频磁控溅射制备Mn掺杂ZnO薄膜的结构与光学性能被引量：2
- 2011年
- 采用反应射频磁控溅射方法制备Zn1-xMnxO薄膜(0≤x≤0.25),并在不同温度下进行退火处理。通过原子力显微镜、薄膜X射线衍射、透射电子显微镜和透射光谱对薄膜的成分、表面形貌、微结构和光学性质进行了研究。结果表明,薄膜结晶质量明显地依赖于掺杂Mn元素的浓度,所有薄膜都表现了沿(002)晶面方向择优取向生长,当Mn含量为7%时,Mn完全进入ZnO晶格,无纳米级第二相析出,当Mn含量超过13%时,会有ZnMnO3杂相析出。Mn掺杂ZnO薄膜(Zn1-xMnxO,x≈0.07)经600～800℃退火处理后,薄膜的光学带隙发生蓝移,带隙能由3.17eV升高到3.27eV,当退火温度高于700℃时,薄膜中压应力得到释放。
- 张欢欢李智苗春雨马春雨张庆瑜
- 关键词：射频磁控溅射微结构光学特性
