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谢超

作品数：34 被引量：3H指数：1
供职机构：合肥工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程环境科学与工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 3篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 15篇肖特基
  • 13篇纳米
  • 13篇光电
  • 12篇肖特基结
  • 11篇探测器
  • 10篇光电探测
  • 10篇光电探测器
  • 9篇电池
  • 9篇太阳能电池
  • 7篇电极
  • 7篇肖特基接触
  • 7篇纳米线
  • 7篇开关比
  • 5篇欧姆接触
  • 4篇异质结
  • 4篇敏化
  • 4篇敏化太阳能电...
  • 4篇感光
  • 3篇石墨
  • 3篇太阳能

机构

  • 34篇合肥工业大学

作者

  • 34篇谢超
  • 25篇罗林保
  • 10篇于永强
  • 10篇吴春艳
  • 9篇王莉
  • 8篇曾龙辉
  • 6篇聂彪
  • 6篇胡瀚
  • 5篇揭建胜
  • 4篇许俊
  • 4篇王先贺
  • 3篇李晶晶
  • 3篇梁凤霞
  • 2篇卢敏
  • 2篇郭惠尔
  • 2篇李明
  • 2篇吴春燕
  • 2篇郭慧尔
  • 2篇任勇斌
  • 2篇胡继刚

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnSe纳米光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种ZnSe纳米光电探测器及其制备方法，探测器的结构层自下而上依次为绝缘衬底、感光层和电极，其特征是感光层为n-型掺杂的ZnSe纳米线。本发明采用化学气相沉积法合成制备n型掺杂ZnSe纳米线，在合成过程中通过...
王莉揭建胜吴春艳于永强卢敏谢超郭慧尔任勇斌
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p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征是：以n-型Ge基底作为近红外光电探测器的基区，在n-型Ge基底的下表面设置n-型Ge基底电极；在n-型Ge基底的上表面覆盖绝缘层，...
罗林保曾龙辉谢超于永强梁凤霞
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一种基于甲基氨基碘化铅准一维结构的自驱动光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于甲基氨基碘化铅准一维结构的自驱动光电探测器及其制备方法，其特征在于：将CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>前驱体溶液滴到倾斜放置的绝缘衬底表面，通过一...
吴春艳彭伟康经纬谢超罗林保
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基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法，其特征是：在分散有P-型IIB-VIA族半导体纳米线的绝缘基底上设置欧姆电极和肖特基电极，欧姆电极和肖特基电极通过P-型IIB-...
罗林保谢超胡瀚曾龙辉聂彪王铭正
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P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅...
罗林保谢超曾龙辉聂彪胡瀚
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一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器及其制备方法，其是采用电子束及退火技术在n‑型硅片的上表面制备双层金纳米颗粒，两层金纳米颗粒之间利用单层石墨烯进行分隔。本发明的双重等离子光电探测器，采用双层金纳米颗粒产...
王莉李晶晶何淑娟李振罗和昊范琦徐星于永强吴春艳谢超罗林保胡继刚宣晓峰黄正峰
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一种受厚度调控的肖特基结无机窄带光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种受厚度调控的肖特基结无机窄带光电探测器及其制备方法，是以无机半导体衬底作为感光层，在其下表面设置有开设透光孔的底电极、上表面设置有与其呈肖特基接触的顶电极。本发明的无机窄带光电探测器，通过调控无机半导体衬...
王莉左焕涣李明罗和昊谢超
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一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：在n型GaAs基底上覆盖一层超薄的钝化层，将石墨烯转移到覆盖钝化层的n型GaAs基底上，实现基于石墨烯/钝化层/n型GaAs肖特基结的光电二极管...
罗林保胡瀚于永强王元谢超王先贺
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基于石墨烯与硅纳米结构高性能光伏器件的构造与光电性能研究
石墨烯具有优异的光学及电学特性，在未来光电子器件透明电极领域有广阔的应用前景。硅纳米结构尤其是垂直排列的硅纳米阵列结构具有优异的陷光能力和电荷传输能力，在新一代高性能太阳能电池领域吸引了人们广泛的研究兴趣。制备稳定低成本...
谢超
关键词：光伏器件石墨烯硅纳米结构光电性能
p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征是：以n-型Ge基底作为近红外光电探测器的基区，在n-型Ge基底的下表面设置n-型Ge基底电极；在n-型Ge基底的上表面覆盖绝缘层，...
罗林保曾龙辉谢超于永强梁凤霞
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