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曾龙辉

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

主题

  • 7篇纳米
  • 6篇肖特基
  • 6篇肖特基结
  • 4篇电极
  • 4篇探测器
  • 4篇欧姆接触
  • 4篇肖特基接触
  • 4篇纳米线
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇光探测
  • 2篇电池
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米棒
  • 2篇氧化锌纳米结...
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结太阳能...
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇紫外光电探测...

机构

  • 10篇合肥工业大学

作者

  • 10篇曾龙辉
  • 9篇罗林保
  • 8篇谢超
  • 7篇聂彪
  • 4篇胡瀚
  • 3篇梁凤霞
  • 2篇谢伟杰
  • 2篇于永强
  • 2篇王先贺
  • 1篇吕鹏

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种以二氧化钛纳米管阵列为基体的紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种以二氧化钛纳米管阵列为基体的紫外光探测器及其制备方法，所述紫外光探测器自下而上依次由钛片基底（1）、二氧化钛纳米管阵列（2）、绝缘层（3）和石墨烯薄膜（4）构成，在所述钛片基底（1）的下表面和所述石墨烯薄...
罗林保王铭正曾龙辉吕鹏聂彪
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p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征是：以n-型Ge基底作为近红外光电探测器的基区，在n-型Ge基底的下表面设置n-型Ge基底电极；在n-型Ge基底的上表面覆盖绝缘层，...
罗林保曾龙辉谢超于永强梁凤霞
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基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以N-型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列，在氧化锌纳米棒阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为...
罗林保聂彪谢超曾龙辉谢伟杰王先贺
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基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法，其特征是：在分散有P-型IIB-VIA族半导体纳米线的绝缘基底上设置欧姆电极和肖特基电极，欧姆电极和肖特基电极通过P-型IIB-...
罗林保谢超胡瀚曾龙辉聂彪王铭正
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P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅...
罗林保谢超曾龙辉聂彪胡瀚
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p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种p-型石墨烯薄膜/n-型Ge肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征是：以n-型Ge基底作为近红外光电探测器的基区，在n-型Ge基底的下表面设置n-型Ge基底电极；在n-型Ge基底的上表面覆盖绝缘层，...
罗林保曾龙辉谢超于永强梁凤霞
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基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以N-型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列，在氧化锌纳米棒阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为...
罗林保聂彪谢超曾龙辉谢伟杰王先贺
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基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法
本发明公开了基于二维碲化铂纳米薄膜与硅的自驱动肖特基结型超宽波段光电探测器及其制备方法，是在Si基底上生长二维PtTe<Sub>2</Sub>纳米薄膜，Si与PtTe<Sub>2</Sub>形成肖特基结，从而构建成为自驱...
曾龙辉梁凤霞
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P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅...
罗林保谢超曾龙辉聂彪胡瀚
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基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法，其特征是：在分散有P-型IIB-VIA族半导体纳米线的绝缘基底上设置欧姆电极和肖特基电极，欧姆电极和肖特基电极通过P-型IIB-...
罗林保谢超胡瀚曾龙辉聂彪王铭正
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