您的位置： 专家智库 > >

聂彪

作品数：10 被引量：2H指数：1
供职机构：合肥工业大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基结
  • 3篇探测器
  • 3篇光电
  • 3篇光探测
  • 2篇电池
  • 2篇电极
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米棒
  • 2篇氧化锌纳米结...
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结太阳能...
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇紫外光电探测...
  • 2篇线阵列
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇量子

机构

  • 10篇合肥工业大学

作者

  • 10篇聂彪
  • 9篇罗林保
  • 7篇曾龙辉
  • 6篇谢超
  • 4篇胡瀚
  • 2篇谢伟杰
  • 2篇揭建胜
  • 2篇吴春艳
  • 2篇王先贺
  • 1篇吕鹏
  • 1篇王莉
  • 1篇于永强

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 5篇2013
  • 2篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种以二氧化钛纳米管阵列为基体的紫外光探测器及其制备方法
本发明公开了一种以二氧化钛纳米管阵列为基体的紫外光探测器及其制备方法，所述紫外光探测器自下而上依次由钛片基底（1）、二氧化钛纳米管阵列（2）、绝缘层（3）和石墨烯薄膜（4）构成，在所述钛片基底（1）的下表面和所述石墨烯薄...
罗林保王铭正曾龙辉吕鹏聂彪
文献传递
基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以N-型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列，在氧化锌纳米棒阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为...
罗林保聂彪谢超曾龙辉谢伟杰王先贺
文献传递
一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法
本发明公开了一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法，其特征是以硅片为基底，将硅片表面清洗后取出晾干即为样品A，在样品A的表面旋涂光刻胶，烘干光刻胶层；按硅微/纳米线阵列的图形形式制接触式掩模板，利用该掩模板对光刻胶层进...
罗林保揭建胜聂彪吴春艳于永强
文献传递
一种水热法制备电子自旋共振标准物的方法
本发明公开了一种水热法制备电子自旋共振标准物的方法，是将碲的化合物、还原剂和表面活性剂置于聚四氟乙烯反应釜中，加入去离子水，搅拌混合均匀，在密闭条件下于135-145℃反应110-180分钟，反应结束后降至室温，依次经离...
罗林保揭建胜聂彪吴春艳王莉
文献传递
基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以N-型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列，在氧化锌纳米棒阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为...
罗林保聂彪谢超曾龙辉谢伟杰王先贺
文献传递
准一维ZnM(M=O,Se)纳米结构:可控合成及其光电子器件应用
准一维纳米半导体材料具有优异的电学和光学性质,引起了人们广泛的研究兴趣。在宽禁带半导体材料中,II-VI族的氧化锌(ZnO)和硒化锌(ZnSe)尤为引人注目。　　1、氧化锌纳米结构　　本文将运用气相沉积方法系统研究一维Z...
聂彪
关键词：光电子器件一维纳米结构硒化锌
文献传递
基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法，其特征是：在分散有P-型IIB-VIA族半导体纳米线的绝缘基底上设置欧姆电极和肖特基电极，欧姆电极和肖特基电极通过P-型IIB-...
罗林保谢超胡瀚曾龙辉聂彪王铭正
文献传递
P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅...
罗林保谢超曾龙辉聂彪胡瀚
文献传递
基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法，其特征是：在分散有P-型IIB-VIA族半导体纳米线的绝缘基底上设置欧姆电极和肖特基电极，欧姆电极和肖特基电极通过P-型IIB-...
罗林保谢超胡瀚曾龙辉聂彪王铭正
文献传递
P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅...
罗林保谢超曾龙辉聂彪胡瀚
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0