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王先贺

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇光电
  • 6篇肖特基
  • 6篇肖特基结
  • 5篇探测器
  • 4篇响应度
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 3篇红外
  • 2篇电极
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米棒
  • 2篇氧化锌纳米结...
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化铟锡
  • 2篇紫外光电探测...
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米棒
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇开关比

机构

  • 7篇合肥工业大学

作者

  • 7篇王先贺
  • 6篇罗林保
  • 4篇谢超
  • 2篇聂彪
  • 2篇谢伟杰
  • 2篇于永强
  • 2篇曾龙辉
  • 2篇胡瀚
  • 2篇王元
  • 2篇卢瑞
  • 2篇邹宜峰
  • 2篇郑坤

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法，其特征是以N型锗基底层作为光电探测器的基区，在N型锗基底层的正面蒸镀绝缘层；在N型锗基底层的上表面设置N型锗纳米锥阵列；将P型石墨烯转移到覆...
罗林保卢瑞郑坤邹宜峰王先贺
文献传递
一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：在n型GaAs基底上覆盖一层超薄的钝化层，将石墨烯转移到覆盖钝化层的n型GaAs基底上，实现基于石墨烯/钝化层/n型GaAs肖特基结的光电二极管...
罗林保胡瀚于永强王元谢超王先贺
文献传递
基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以N-型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列，在氧化锌纳米棒阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为...
罗林保聂彪谢超曾龙辉谢伟杰王先贺
文献传递
一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：在n型GaAs基底上覆盖一层超薄的钝化层，将石墨烯转移到覆盖钝化层的n型GaAs基底上，实现基于石墨烯/钝化层/n型GaAs肖特基结的光电二极管...
罗林保胡瀚于永强王元谢超王先贺
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基于一维氧化铜纳米线的光电子器件的制备及其性能研究
氧化铜是一种重要的金属氧化物半导体材料，由于其在自然界中含量丰富且合成成本低廉，因此得到了广泛的应用。低维的氧化铜纳米结构（零维或者一维）同样得到了应用，它们可以通过直接加热法、湿化学法、金属辅助法等方法合成。研究发现，...
王先贺
关键词：光电子器件光电特性
基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于单层石墨烯/氧化锌纳米棒阵列肖特基结的紫外光电探测器及其制备方法，其特征是：以N-型硅基底层作为衬底，在其上表面沿垂直方向生长有氧化锌纳米棒阵列，在氧化锌纳米棒阵列的上表面覆盖有绝缘层，绝缘层的面积为...
罗林保聂彪谢超曾龙辉谢伟杰王先贺
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一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种P型石墨烯/N型锗纳米锥阵列肖特基结红外光电探测器及其制备方法，其特征是以N型锗基底层作为光电探测器的基区，在N型锗基底层的正面蒸镀绝缘层；在N型锗基底层的上表面设置N型锗纳米锥阵列；将P型石墨烯转移到覆...
罗林保卢瑞郑坤邹宜峰王先贺
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