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胡瀚

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基结
  • 4篇纳米线
  • 3篇电池
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇光电
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结太阳能...
  • 2篇探测器
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇响应度
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇近红外探测器
  • 2篇开关比
  • 2篇光电二极管
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测

机构

  • 7篇合肥工业大学

作者

  • 7篇胡瀚
  • 6篇罗林保
  • 6篇谢超
  • 4篇聂彪
  • 4篇曾龙辉
  • 2篇于永强
  • 2篇王先贺
  • 2篇王元

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：在n型GaAs基底上覆盖一层超薄的钝化层，将石墨烯转移到覆盖钝化层的n型GaAs基底上，实现基于石墨烯/钝化层/n型GaAs肖特基结的光电二极管...
罗林保胡瀚于永强王元谢超王先贺
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一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种自驱动高速肖特基结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：在n型GaAs基底上覆盖一层超薄的钝化层，将石墨烯转移到覆盖钝化层的n型GaAs基底上，实现基于石墨烯/钝化层/n型GaAs肖特基结的光电二极管...
罗林保胡瀚于永强王元谢超王先贺
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基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法，其特征是：在分散有P-型IIB-VIA族半导体纳米线的绝缘基底上设置欧姆电极和肖特基电极，欧姆电极和肖特基电极通过P-型IIB-...
罗林保谢超胡瀚曾龙辉聂彪王铭正
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P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅...
罗林保谢超曾龙辉聂彪胡瀚
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石墨烯的可控合成及其在纳米光电子器件中的应用研究
石墨烯(Graphene)是一种新型二维材料，原子级厚度、优异的性能和广泛的应用使得石墨烯被认为是未来纳米光电器件最有前途的候选材料。成功的合成与转移大面积石墨烯是实现石墨烯光电器件应用的基础。然而，石墨烯在实际应用过程...
胡瀚
关键词：纳米材料石墨烯合成工艺太阳能电池
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P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅...
罗林保谢超曾龙辉聂彪胡瀚
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基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于P-型IIB-VIA族半导体纳米线肖特基结的非挥发性存储器及其制备方法，其特征是：在分散有P-型IIB-VIA族半导体纳米线的绝缘基底上设置欧姆电极和肖特基电极，欧姆电极和肖特基电极通过P-型IIB-...
罗林保谢超胡瀚曾龙辉聂彪王铭正
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