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郭熹

作品数:6 被引量:13H指数:2
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇纳米
  • 1篇单分散
  • 1篇单晶纳米线
  • 1篇导电
  • 1篇电性质
  • 1篇电子束曝光
  • 1篇多晶材料
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌调控
  • 1篇闪锌矿
  • 1篇输运
  • 1篇庞磁电阻
  • 1篇球形
  • 1篇锌矿
  • 1篇离子束
  • 1篇纳米孔
  • 1篇纳米孔阵列
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米压印
  • 1篇介电性质

机构

  • 6篇中国科学院
  • 5篇浙江理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇首都师范大学
  • 1篇郑州航空工业...

作者

  • 6篇唐为华
  • 6篇郭熹
  • 5篇郭艳峰
  • 4篇雷鸣
  • 4篇李培刚
  • 3篇陈雷明
  • 1篇陈晋平
  • 1篇郑鹉
  • 1篇孙志斌
  • 1篇王霞
  • 1篇宋朋云
  • 1篇张志华
  • 1篇杨慧

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇中国科学(G...
  • 1篇常熟理工学院...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2007
  • 3篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质
2010年
采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射(XRD)分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100K≤T≤300K)和低频下(200Hz≤f≤100kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰(T≈170K)起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰(T≈290K)则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下(T≈230K)存在明显的导电机制转变.
郭熹王霞郑鹉唐为华
关键词:掺杂介电性质
单分散球形碳酸钙粒子的简易合成被引量:8
2006年
通过一种有机聚合物聚乙烯苯磺酸钠(PSSS)对碳酸钙粒子的调制作用,以碳酸钠和氯化钙为初始反应物合成出具有不同形貌的碳酸钙粒子。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所得产物的结构和形貌进行表征。同时研究了不同高分子浓度对CaCO3粒子的晶型和形貌的影响。结果表明高分子浓度是影响CaCO3粒子形貌的重要因素。随着实验条件的变化,晶体形貌由板状聚集体向球形转变。同时确定了合成单分散球形碳酸钙粒子的最佳实验条件。
雷鸣李培刚杨慧郭艳峰郭熹唐为华
关键词:CACO3仿生合成单分散形貌调控
闪锌矿ZnS单晶纳米线的制备与表征
利用化学气相反应沉积的工艺,以高纯的 Zn 粉和 S 粉为原料,在镀金的 Si 衬底上反应生长 ZnS 纳米线。利用 XRD,SEM,EDX,SAED,HRTEM 分析纳米线的成分、形貌特征、显微结构等。结果表明所制备的...
雷鸣张志华孙志斌郭熹郭艳峰李培刚唐为华
关键词:ZNS闪锌矿纳米线
改性光刻胶制备纳米压印模版被引量:3
2006年
制备纳米压印中的模版是压印技术的基本条件.目前很多压印模版是利用高硬度材料制作的,但是这些材料比较难以加工,从而限制了纳米压印技术的发展.提出一种利用光刻胶制备纳米压印模版的方法.利用聚焦离子束对光刻胶的改性作用,控制加工的条件,将柔性的光刻胶改性为硬度很高的材料,从而形成纳米压印模版.这种方法具有速度快、制备简单等特点,是一种新颖的加工方式,扩展了聚焦离子束的加工范围,可用于其他的纳米加工领域.
陈雷明郭艳峰郭熹唐为华
关键词:纳米压印光刻胶聚焦离子束纳米孔阵列
PED沉积Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_4薄膜过程中影响超导电性因素分析
2007年
采用脉冲电子束沉积技术,在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85-Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜.通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率,获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品.对样品R-T曲线进行分析,得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律,并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因.通过与脉冲激光沉积技术类比,定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系.
郭艳峰陈雷明郭熹李培刚雷鸣唐为华
关键词:超导电性
尺寸效应对庞磁电阻材料La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3输运性能的影响被引量:2
2007年
采用脉冲电子束沉积技术在(100)取向单晶钛酸锶衬底上沉积出具有高取向的La0.67Ca0.33MnO3薄膜,并用电子束曝光技术获得不同宽度的微桥结构,对这些微桥结构的输运性能进行了研究.当微桥的宽度为2和1.5μm时,与大面积薄膜相比,其金属绝缘体转变温度TP变化不大.当微桥的宽度为1μm时,TP降低约50K.当微桥宽度减小到500nm以下,没有观察到金属-绝缘体转变.对不同宽度微桥的磁电阻曲线进行分析发现,随着微桥宽度减小,低场磁电阻也变小,高场磁电阻变化不大.
李培刚雷鸣郭艳峰郭熹陈雷明唐为华宋朋云陈晋平
关键词:庞磁电阻电子束曝光
共1页<1>
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