钱蓉
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离被引量：3
- 2000年
- 对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.
- 程知群孙晓玮夏冠群李洪芹盛怀茂钱蓉
- AlGaInP/GaAs HBT功率放大器
- 夏冠群孙晓玮程智群束为民盛怀茂张美圣钱蓉郝幼申
- 材料为发射极制备的HBT作为微波功率放大器的有源器件。材料体系在所有与GaAs晶格匹配的材料体系中具有最大的价带不连续性（△EV），能有效抑制HBT器件工作时基极空穴的反向注入，改善结区和整个器件的温度特性，使器件有更高...
- 关键词：
- 关键词：功率放大器放大器有源器件
