顾倩倩
- 作品数：9 被引量：22H指数：3
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金应用光学国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺机械工程更多>>
- 强流脉冲电子束作用下纯镍表层中织构及结构缺陷的演化行为被引量：3
- 2010年
- 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯Ni进行轰击,采用X射线衍射及透射电子显微镜(TEM)技术详细分析了受轰击样品的变形结构和缺陷。X射线衍射分析表明,经强流脉冲电子束处理后,在{111}和{200}晶面出现了择优取向。TEM表层微观结构分析表明:强流脉冲电子束轰击1次和5次后,晶粒内部形成了大量的(111)[112]型波状条带结构,在波状条带内部包含大量平行的(200)[110]型微条带;10次轰击后,样品变形结构发生变化,除大量的条带状结构外,变形孪晶的数量明显增多。这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,强流脉冲电子束技术为制备表面纳米材料提供了一条有效的途径。
- 李艳顾倩倩邱冬华彭冬晋关庆丰
- 关键词：强流脉冲电子束纯镍织构
- AISI 304L奥氏体不锈钢表面微孔结构的强流脉冲电子束快速制备与表征被引量：3
- 2012年
- 利用强流脉冲(HCPEB)电子束技术,对AISI 304L奥氏体不锈钢进行了辐照处理,并利用透射电子显微镜对HCPEB诱发的空位簇缺陷进行了表征。实验结果表明,HCPEB辐照金属可在辐照表层诱发大量的过饱和空位,并形成空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT)。利用金相显微镜、扫描电子显微镜和非接触式光学轮廓仪,对其表面形貌进行了详细的表征,发现电子束处理后的样品表面形成了高密度、弥散分布和尺寸细小的微孔,表面微孔是由于HCPEB轰击诱发的大量空位(簇)缺陷,以线或面等结构缺陷为路径,向表层迁移导致空位的累积而形成的。采用HCPEB技术,选择合适的材料和辐照工艺参数,可以成功地制备出表面多孔金属材料。
- 蔡杰邹阳万明珍彭冬晋李艳顾倩倩关庆丰
- 关键词：强流脉冲电子束微孔多孔材料
- 强流脉冲电子束作用下单晶硅表层缺陷与结构变化被引量：1
- 2010年
- 为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理,并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析.实验结果表明,HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构,互相平行的螺位错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构;同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷,幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.此外,HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非晶混合结构.
- 王雪涛关庆丰顾倩倩彭冬晋李艳陈波
- 关键词：强流脉冲电子束单晶硅
- 强流脉冲电子束辐照诱发单晶铝表层的微观结构状态被引量：1
- 2010年
- 利用Nadezhda-2强流脉冲电子束(HCPEB)装置分别在1 J/cm2和4 J/cm2能量密度下对单晶铝进行了辐照处理.1 J/cm2能量密度下,表面处于未熔化状态,表面形成互相平行的带有中脊线的挛晶结构;而4 J/cm2能量密度辐照下,在表面熔化的同时则没有变形条带出现.透射电镜分析表明,1 J/cm2能量密度HCPEB辐照能够在单晶铝表层诱发孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且很少观察到位错的出现,也观察不到位错滑移的痕迹;4 J/cm2能量密度辐照单晶铝表层则是位错滑移引起的位错缠结结构为主.
- 关庆丰顾倩倩彭冬晋李艳刘洋林雪李秀颖
- 关键词：强流脉冲电子束微观结构
- 强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——变形结构被引量：5
- 2011年
- 为了研究金属的超快变形机理,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电子显微镜对HCPEB诱发的表面微结构进行了表征.实验结果表明,HCPEB轰击多晶纯Cu后,在轰击表层诱发了幅值极大的应力和极高的应变速率.1次HCPEB轰击材料表层的变形结构以交滑移形成的位错胞和位错缠结结构为主;多次轰击后平行的位错墙和孪晶是该区域的主要变形结构特征;原子面的扩散乃至位错攀移可在晶界和孪晶界上形成台阶结构.根据各自区域的变形结构特征,对相应的变形机理进行了探讨.
- 关庆丰顾倩倩李艳邱冬华彭冬晋王雪涛
- 关键词：强流脉冲电子束孪晶
- 强流脉冲电子束诱发纯钛表面的微观结构及应力状态被引量：10
- 2012年
- 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯钛进行轰击,采用X射线衍射,扫描电子显微镜及透射电子显微镜技术详细分析了轰击样品表层的结构和缺陷.X射线衍射分析表明,HCPEB能够在材料表层诱发幅值为GPa量级的压应力,并在(100),(102)和(103)晶面出现择优取向.表层微观结构的观察表明:HCPEB轰击后材料表层发生了马氏体相变,形成了大量的片状马氏体组织;此外,HCPEB轰击还在辐照表面诱发了强烈的塑性变形,一次轰击后,晶粒内部的塑性变形以(100)晶面的位错滑移为主,位错密度显著提高;多次轰击后,样品变形结构发生变化,变形孪晶的数量明显增多.这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,进而提高材料表面硬度,为HCPEB技术进行纯钛表面强化提供了一条有效的途径.
- 李艳蔡杰吕鹏邹阳万明珍彭冬晋顾倩倩关庆丰
- 关键词：强流脉冲电子束纯钛微观结构应力状态
- 强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——空位簇缺陷及表面微孔结构被引量：4
- 2010年
- 利用强流脉冲(HCPEB)电子束技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电镜对HCPEB诱发的空位簇缺陷进行了表征.实验结果表明,HCPEP辐照金属可在纯Cu表层诱发大量的过饱和空位,并形成四方形空位胞及空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT),HCPEB瞬间的加热和冷却诱发的幅值极大的应力和极高的应变导致的整个原子平面的位移是空位簇缺陷形成的主要原因.此外,扫描电镜分析表明HCPEB辐照可以在纯Cu表面形成高密度、弥散分布和尺寸细小的微孔.过饱和空位或空位团簇沿晶体缺陷向表面扩散、凝聚是表面微孔形成的根本原因.这表明HCPEB技术有可能成为一种快速制备金属表面多孔材料的新方法。
- 王雪涛关庆丰邱冬华程秀围李艳彭冬晋顾倩倩
- 关键词：强流脉冲电子束多晶铜微孔
- 质子辐照下Mo/Si多层膜反射镜的微观结构状态被引量：3
- 2012年
- 利用透射电子显微镜对质子辐照前后空间太阳望远镜Mo/Si多层膜的微观结构进行了表征,并对其辐照前后反射率的变化进行了测量.研究表明,Mo/Si多层膜经质子辐照后形成了一些缺陷结构,局部区域Mo/Si的周期性遭到破坏,Mo层与si层的宽度发生了变化,多层膜层与层之间的界面也比辐照前更为粗糙,部分层状结构由于质子辐照发生了明显的扭曲和折断等现象;此外,质子辐照导致了Mo/Si多层膜反射率的下降,这些微观缺陷的形成是光学性能降低的直接诱因.
- 关庆丰吕鹏王孝东万明珍顾倩倩陈波
- 关键词：空间太阳望远镜MO/SI多层膜微观结构反射率
- 强流脉冲电子束诱发单晶铜表层的缺陷结构
- 2010年
- 为了研究高速变形对金属材料微观结构的影响,利用强流脉冲电子束技术对单晶铜进行了辐照,并通过透射电镜对强流脉冲电子束诱发的表面微结构进行了分析.实验结果表明,位于电子束中心区域的单晶铜表层微结构以位错胞为主;而距离电子束中心区域较远处区域表层微结构则由大量的空位簇缺陷组成,在该区域很少能够观察到位错的出现,也观察不到位错滑移的痕迹.根据各自区域的微结构特征,对相应的变形机制进行了探讨.强流脉冲电子束辐照导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.
- 顾倩倩王雪涛朱健邱冬华程秀围关庆丰储金宇
- 关键词：强流脉冲电子束单晶铜应力
