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李艳: 作品数：13 被引量：49H指数：5; 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金应用光学国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：理学金属学及工艺一般工业技术更多>>

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强流脉冲电子束作用下纯镍表层中织构及结构缺陷的演化行为被引量：3: 2010年; 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯Ni进行轰击,采用X射线衍射及透射电子显微镜(TEM)技术详细分析了受轰击样品的变形结构和缺陷。X射线衍射分析表明,经强流脉冲电子束处理后,在{111}和{200}晶面出现了择优取向。TEM表层微观结构分析表明:强流脉冲电子束轰击1次和5次后,晶粒内部形成了大量的(111)[112]型波状条带结构,在波状条带内部包含大量平行的(200)[110]型微条带;10次轰击后,样品变形结构发生变化,除大量的条带状结构外,变形孪晶的数量明显增多。这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,强流脉冲电子束技术为制备表面纳米材料提供了一条有效的途径。; 李艳顾倩倩邱冬华彭冬晋关庆丰; 关键词：强流脉冲电子束纯镍织构

强流脉冲电子束辐照诱发纯钼表面的损伤效应及结构缺陷被引量：3: 2013年; 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对纯钼表面进行辐照处理,并利用X射线衍射仪,扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)详细分析了辐照表面的微观结构和损伤效应.1次HCPEB辐照后,纯钼表层积聚了极大的残余应力,多次辐照后表面未融化区域出现大量绝热剪切带,且局部区域发生开裂.微观结构分析显示,辐照后材料表面形成发散状的位错组态和大量空位簇缺陷;绝热剪切带内部是尺寸为1μm左右等轴状的再结晶晶粒.剪切带造成的材料表面局部软化以及间隙原子偏聚于晶界是材料发生开裂的主要原因.另外,表面熔化区域可形成尺寸为20 nm左右的纳米晶.; 季乐杨盛志蔡杰李艳王晓彤张在强侯秀丽关庆丰; 关键词：强流脉冲电子束纯钼绝热剪切带

强流脉冲电子束作用下金属纯Cu的微观结构状态——变形结构被引量：5: 2011年; 为了研究金属的超快变形机理,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电子显微镜对HCPEB诱发的表面微结构进行了表征.实验结果表明,HCPEB轰击多晶纯Cu后,在轰击表层诱发了幅值极大的应力和极高的应变速率.1次HCPEB轰击材料表层的变形结构以交滑移形成的位错胞和位错缠结结构为主;多次轰击后平行的位错墙和孪晶是该区域的主要变形结构特征;原子面的扩散乃至位错攀移可在晶界和孪晶界上形成台阶结构.根据各自区域的变形结构特征,对相应的变形机理进行了探讨.; 关庆丰顾倩倩李艳邱冬华彭冬晋王雪涛; 关键词：强流脉冲电子束孪晶

强流脉冲电子束诱发纯钛表面的微观结构及应力状态被引量：10: 2012年; 利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯钛进行轰击,采用X射线衍射,扫描电子显微镜及透射电子显微镜技术详细分析了轰击样品表层的结构和缺陷.X射线衍射分析表明,HCPEB能够在材料表层诱发幅值为GPa量级的压应力,并在(100),(102)和(103)晶面出现择优取向.表层微观结构的观察表明:HCPEB轰击后材料表层发生了马氏体相变,形成了大量的片状马氏体组织;此外,HCPEB轰击还在辐照表面诱发了强烈的塑性变形,一次轰击后,晶粒内部的塑性变形以(100)晶面的位错滑移为主,位错密度显著提高;多次轰击后,样品变形结构发生变化,变形孪晶的数量明显增多.这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,进而提高材料表面硬度,为HCPEB技术进行纯钛表面强化提供了一条有效的途径.; 李艳蔡杰吕鹏邹阳万明珍彭冬晋顾倩倩关庆丰; 关键词：强流脉冲电子束纯钛微观结构应力状态

强流脉冲电子束作用下金属锆的微观结构与应力状态被引量：9: 2013年; 利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对金属纯锆进行表面处理,采用X射线衍射,扫描电子显微镜及透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的表层微观结构和缺陷.X射线分析结果表明,HCPEB辐照后在材料表层诱发幅值为GPa量级的压应力,并形成{0002},{10■2},{11■0}及{10■3}织构.表层微观结构观察表明,与其他金属材料不同,HCPEB辐照在材料表层诱发的熔坑数量极少,多次轰击甚至几乎没有表面熔坑的形成.此外,在快速的加热和冷却状态下,在表面熔化层形成大量的超细晶粒结构,同时诱发马氏体相变和强烈的塑性变形.1次HCPEB辐照后表层内形成的变形微结构以位错为主,孪晶数量较少;5次辐照样品的位错密度迅速增高,孪晶数量也显著增加;10次辐照后样品中的变形微结构以变形孪晶为主,且出现二次孪晶现象.表层晶粒内部变形的晶体学特征不仅决定了表层的织构演化行为,而且还起到细化晶粒的作用,为纯锆及锆合金表面强化提供了一条有效的途径.; 蔡杰季乐杨盛志张在强刘世超李艳王晓彤关庆丰; 关键词：强流脉冲电子束纯锆微观结构应力状态

AISI 304L奥氏体不锈钢表面微孔结构的强流脉冲电子束快速制备与表征被引量：3: 2012年; 利用强流脉冲(HCPEB)电子束技术,对AISI 304L奥氏体不锈钢进行了辐照处理,并利用透射电子显微镜对HCPEB诱发的空位簇缺陷进行了表征。实验结果表明,HCPEB辐照金属可在辐照表层诱发大量的过饱和空位,并形成空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT)。利用金相显微镜、扫描电子显微镜和非接触式光学轮廓仪,对其表面形貌进行了详细的表征,发现电子束处理后的样品表面形成了高密度、弥散分布和尺寸细小的微孔,表面微孔是由于HCPEB轰击诱发的大量空位(簇)缺陷,以线或面等结构缺陷为路径,向表层迁移导致空位的累积而形成的。采用HCPEB技术,选择合适的材料和辐照工艺参数,可以成功地制备出表面多孔金属材料。; 蔡杰邹阳万明珍彭冬晋李艳顾倩倩关庆丰; 关键词：强流脉冲电子束微孔多孔材料

强流脉冲电子束作用下单晶硅表层缺陷与结构变化被引量：1: 2010年; 为了研究超快变形诱发的非金属材料的微观结构状态,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对单晶硅进行了辐照处理,并用透射电镜对电子束诱发的表层微观结构进行了分析.实验结果表明,HCPEB辐照后单晶Si表层形成了丰富的缺陷结构,互相平行的螺位错和外禀层错是辐照后最为典型的缺陷结构;同时HCPEB辐照还诱发了密度很高的包括位错圈和SFT在内空位簇缺陷,幅值极大和应变速率极高的表面应力导致的{111}面整体位移可能是大量空位簇缺陷形成的根本原因.此外,HCPEB处理可在单晶Si表面形成纳米和非晶混合结构.; 王雪涛关庆丰顾倩倩彭冬晋李艳陈波; 关键词：强流脉冲电子束单晶硅

固溶态Mg-Gd-Y-Nd合金强流脉冲电子束表面改性被引量：1: 2015年; 利用强流脉冲电子束(HCPEB)对固溶态Mg-Gd-Y-Nd合金进行表面辐照处理。利用X射线衍射仪(XRD)、光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)对辐照前后样品的微观结构进行表征,并考察了HCPEB辐照处理后样品表面的显微硬度和腐蚀性能。实验结果表明:HCPEB处理后样品表面发生重熔并形成表面熔坑,随着脉冲次数的增加,熔坑密度逐渐减小;HCPEB处理后样品表面显微硬度显著提高。此外,电化学实验结果表明HCPEB表面处理后Mg-Gd-Y-Nd合金表面的抗腐蚀性能也得到明显的改善。表层晶粒细化、重熔层的形成和稀土元素的固溶强化效应是硬度提高和腐蚀性能改善的主要原因。; 关庆丰李艳侯秀丽杨盛志王晓彤

强流脉冲电子束作用下镍基高温合金GH4169的微观结构及腐蚀性能被引量：9: 2015年; 利用强流脉冲电子束（High current pulsed electron beam,HCPEB）技术对镍基高温合金GH4169进行表面处理,利用X射线衍射仪（X-ray diffraction,XRD）、扫描电子显微镜（Scanning electron microscope,SEM）和透射电子显微镜（Transmission electron microscopy,TEM）对HCPEB诱发的微观结构进行详细的表征,并考察HCPEB辐照处理后样品表面的腐蚀性能。试验结果表明,HCPEB辐照后GH4169合金表面发生熔化并形成熔坑,熔坑密度随辐照次数的增加而降低,尺寸较大的第二相颗粒等可随着熔坑的喷发而清除,进而实现表面净化。HCPEB辐照后GH4169合金表面形成3~5μm厚的重熔层,重熔层内部以尺寸在100 nm左右的纳米晶为主,HCPEB辐照还可在表层诱发强烈的塑性变形,形成高密度的位错及变形孪晶等变形结构。HCPEB辐照显著地改善了GH4169合金的耐蚀性能,腐蚀性能的改善主要归因于表面净化效应以及表层纳米重熔层和高密度的晶体缺陷的形成,这些微观结构促进了表层钝化膜的形成,起到保护基体的作用。; 杨盛志王晓彤李艳蔡杰侯秀丽关庆丰; 关键词：强流脉冲电子束纳米晶

强流脉冲电子束辐照诱发单晶铝表层的微观结构状态被引量：1: 2010年; 利用Nadezhda-2强流脉冲电子束(HCPEB)装置分别在1 J/cm2和4 J/cm2能量密度下对单晶铝进行了辐照处理.1 J/cm2能量密度下,表面处于未熔化状态,表面形成互相平行的带有中脊线的挛晶结构;而4 J/cm2能量密度辐照下,在表面熔化的同时则没有变形条带出现.透射电镜分析表明,1 J/cm2能量密度HCPEB辐照能够在单晶铝表层诱发孔洞甚至堆垛层错四面体这种通常在高层错能金属中不能形成的空位簇缺陷,并且很少观察到位错的出现,也观察不到位错滑移的痕迹;4 J/cm2能量密度辐照单晶铝表层则是位错滑移引起的位错缠结结构为主.; 关庆丰顾倩倩彭冬晋李艳刘洋林雪李秀颖; 关键词：强流脉冲电子束微观结构

李艳

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