颜建锋
- 作品数：11 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子...
- 吕有明梁红伟李炳辉吴春霞颜建锋魏志鹏赵东旭申德振
- 文献传递
- P-MBE方法在硅衬底上制备的氧化锌薄膜及纳米管的结构和光学性质的研究
- 氧化锌作为一种重要的具有六方结构的Ⅱ-V族宽带隙(3.3eV)半导体材料,由于具有较高的激子束缚能高(60meV),在室温下容易获得强的激子发射,被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料.因此,对氧化锌材料的研究已成为继G...
- 颜建锋
- 关键词：X-射线衍射光致发光纳米管场发射
- 文献传递
- 提高GaN基发光二极管性能的材料技术研究
- 宽禁带III-V族氮化物(GaN、InN、AlN以及由它们组成的合金固熔体)是直接带隙材料，由它们制作的发光二极管(LED)可以覆盖从红光到紫外波长的范围。本文主要研究提高GaN基发光二极管性能的材料技术方法。
1...
- 颜建锋
- 关键词：氮化镓发光二极管
- 利用P-MBE在Si(111)衬底上生长氧化锌薄膜及其光学性质的研究被引量：1
- 2004年
- 在Si( 111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延 (P MBE)生长氧化锌 (ZnO)薄膜 ,研究了在不同衬底生长温度下 ( 35 0～ 75 0℃ )制备的ZnO薄膜的结构和光学性质 .随着衬底温度的升高 ,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大 ,衬底温度为 5 5 0℃样品的结构及光学性质都比较好 ,这表明 5 5 0℃为在Si( 111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度 ;同时 ,我们还通过 5 5 0℃样品的变温光致发光谱 ( 81～ 30 0K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源 。
- 颜建锋梁红伟吕有明刘益春李炳辉申德振张吉英范希武
- 关键词：氧化锌薄膜光致发光半导体材料X射线衍射分析
- r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究被引量：5
- 2007年
- 采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(11■0)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Raman光谱中E2高频模的半峰宽仅为3.9cm-1,这些说明a面GaN薄膜具有较好的晶体质量;X射线研究结果表明样品与衬底的位相关系为:[11■0]GaN‖[1■02]sapphire,[0001]GaN‖[■101]sapphire和[■100]GaN‖[11■0]sapphire;高分辨X射线和Raman散射谱的残余应力研究表明,采用两步AlN缓冲层法制备的a面GaN薄膜在平面内的残余应力大小与用低温GaN缓冲层法制备的a面GaN薄膜不同,我们认为这是由引入AlN带来的晶格失配和热失配的变化引起的.
- 颜建锋张洁郭丽伟朱学亮彭铭曾贾海强陈弘周均铭
- 关键词：X射线衍射RAMAN谱
- 一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用分子束外延制备氧化物薄膜的方法，将传统的分子束外延设备改造成等离子体协助分子束外延，发挥分子束外延技术在制备材料方面的优势，获得研究和制备氧化锌薄膜器件的最佳方法。利用射频等离子...
- 吕有明梁红伟李炳辉吴春霞颜建锋魏志鹏赵东旭申德振
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- 用等离子体辅助分子束外延生长氧化锌单晶薄膜被引量：13
- 2004年
- 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)方法,通过优化生长条件,在c平面蓝宝石(Al_2O_3)上生长出氧化锌(ZnO)单晶薄膜。使用反射式高能衍射仪(RHEED)原位监测到样品表面十分平整,X射线摇摆曲线(XRC)测得ZnO薄膜的<002>取向半峰全宽为0.20°,证实为ZnO单晶薄膜。室温下吸收谱(ABS)和光致发光(PL)谱显示了较强的激子吸收和发射,且无深能级(DL)发光。电学性能测量表明,生长的ZnO为n型半导体,室温下载流于浓度为7×10^(16) cm^(-3),与体单晶ZnO中的载流子浓度相当。
- 梁红伟颜建锋吕有明申德振刘益春赵东旭李炳辉张吉英范希武范景田
- 关键词：薄膜生长分子束外延等离子体辅助蓝宝石衬底光电材料
- AlN外延薄膜的生长和特征
- 本文研究了AlN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与AlN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长AlN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的AlN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出AlN薄膜的(...
- 张洁彭铭曾朱学亮颜建锋郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：半导体薄膜薄膜生长薄膜形貌
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- AlN外延薄膜的生长和特征被引量：1
- 2007年
- 文章研究了A lN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与A lN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长A lN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的A lN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出A lN薄膜的(002)和(105)的半高宽分别为16.9arcsec和615arcsec,接近国际上报道的较好结果。原子力显微镜对表面形貌的分析表明A lN薄膜的粗糙度为5.7nm。拉曼光谱表明E2(high)模向高能方向移动,说明蓝宝石上外延的A lN薄膜处于压应变状态。光学吸收谱在204nm处具有陡峭的带边吸收,也表明了A lN外延薄膜具有较好地晶体质量。
- 张洁彭铭曾朱学亮颜建锋郭丽伟贾海强陈弘周均铭
- 关键词：ALNMOCVD表面形貌光学吸收
- 等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究被引量：9
- 2003年
- 利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al_2O_3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响。随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(PL)谱中显示了一个近带边的紫外光发射(UVE)和一个与深中心有关的可见光发射。随着生长温度升高,可见光发射逐渐变弱,薄膜的室温载流子浓度由1.06×10^(19)/cm^3减少到7.66×10^(16)/cm^3,表明在高温下生长的薄膜中锌氧化学计量比趋于平衡,高质量的ZnO薄膜被获得。通过测量变温光谱,证实所有样品在室温下PL谱中紫外发光都来自于自由激子发射;随着生长温度的变化UVE峰位蓝移与晶粒尺寸不同引起的量子限域效应相关。
- 梁红伟吕有明申德振颜建锋刘益春李炳辉赵东旭张吉英范希武
- 关键词：ZNO薄膜光电特性生长温度量子限域效应
