马强
- 作品数：22 被引量：33H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术文化科学更多>>
- 单片机系统脉冲γ辐射效应研究
- 本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象，在“强光一号”加速器上，对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究，获得了单片机的闩锁阈值，得到了功耗电...
- 杨善潮马强金晓明李瑞宾林东生陈伟刘岩
- 关键词：单片机系统闩锁
- 文献传递网络资源链接
- GEANT4在中子辐射效应中的应用
- 中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的GEANT4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应，非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应。电离...
- 金晓明王园明杨善潮马强刘岩林东生陈伟
- 文献传递网络资源链接
- 基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析
- 利用正交设计法设计了实验方案，可通过较少的实验获得满意的实验结果。在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验，研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响，得到不...
- MA Qiang马强林东生LIN Dong-shengJIN Xiao-ming金晓明CHEN Wei陈伟YANG Shan-chao杨善潮LI Rui-bin李瑞宾齐超QI ChaoWANG Gui-zhen王桂珍
- 关键词：运算放大器正交设计
- 基于晶体管测量的中子注量在线实时测量系统被引量：6
- 2012年
- 利用晶体管直流放大倍数的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,使用晶体管作为在线中子注量测量的探测器,建立了以计算机、GPIB总线、矩阵开关、任意波形发生器、数字示波器等硬件为基础,基于LabVIEW软件平台的中子注量在线实时监测系统。在西安脉冲反应堆中子辐射场中,开展了标定实验研究,建立的中子注量在线实时监测系统实现了空间分布的中子注量实时测量,利用该套系统得到了XAPR和CFBR-Ⅱ的等效损伤系数。
- 杨善潮郭晓强林东生李斌李瑞宾白小燕马强
- 关键词：虚拟仪器
- 基于正交设计的BiMOS运算放大器瞬时电离辐射效应影响因素分析
- 利用正交设计法设计了实验方案,可通过较少的实验获得满意的实验结果。在'强光一号'上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到不...
- 马强林东生金晓明陈伟杨善潮李瑞宾齐超王桂珍
- 关键词：正交设计BIMOS
- 文献传递
- 单片机系统脉冲γ辐射效应研究
- 本文以建立的EE80C196KC20型单片机运行系统为研究对象,在'强光一号'加速器上,对系统中的LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐射效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,得到了功耗电...
- 杨善潮马强金晓明李瑞宾林东生陈伟刘岩
- 关键词：单片机系统闩锁
- 文献传递
- Geant4在中子辐射效应中的应用
- 中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离总剂量效应,非电离能量沉积可用于分析位移损伤效应。电离...
- 金晓明王园明杨善潮马强刘岩林东生陈伟
- 文献传递
- 运算放大器CA3140瞬时电离辐射效应正交实验研究
- 2013年
- 在“强光一号”上对BiMOS工艺运算放大器CA3140进行了瞬时电离辐射效应正交实验,研究了不同因素对CA3140输出端瞬时电离辐射扰动恢复时间的影响,得到了不同因素对恢复时间产生影响的主次顺序和显著水平,以及运算放大器在瞬时电离辐射环境下的最坏因素组合.
- 马强金晓明杨善潮林东生王桂珍李瑞宾
- 关键词：正交设计BIMOS
- EE80C196KC20型单片机小系统的脉冲γ辐照效应实验研究被引量：3
- 2013年
- 在"强光一号"加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的变化规律,从实验上证实了电源芯片对单片机脉冲γ辐照闩锁效应的抑制作用。
- 杨善潮马强金晓明李瑞宾林东生陈伟刘岩
- 关键词：单片机系统闩锁
- 0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究被引量：9
- 2014年
- 利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。
- 王桂珍林东生齐超白小燕杨善潮李瑞宾马强金晓明刘岩
- 关键词：脉冲激光特征尺寸
