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高鹏

作品数：98 被引量：28H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电气工程电子电信动力工程及工程热物理化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 84篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 25篇电气工程
  • 4篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 63篇电池
  • 22篇太阳电池
  • 20篇太阳能
  • 20篇太阳能电池
  • 18篇电极
  • 14篇键合
  • 12篇砷化镓
  • 12篇衬底
  • 11篇激光
  • 9篇隧道结
  • 9篇温差电
  • 8篇电流扩展
  • 7篇电池材料
  • 7篇传感
  • 6篇低温键合
  • 6篇电源
  • 6篇一体化
  • 6篇锂电池
  • 6篇晶格
  • 6篇晶格匹配

机构

  • 98篇中国电子科技...
  • 6篇天津蓝天太阳...
  • 1篇东华大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇武汉理工大学
  • 1篇长光卫星技术...

作者

  • 98篇高鹏
  • 38篇孙强
  • 31篇薛超
  • 30篇刘如彬
  • 27篇肖志斌
  • 27篇姜明序
  • 26篇王赫
  • 25篇张启明
  • 17篇王宇
  • 14篇唐悦
  • 13篇王帅
  • 13篇刘兴江
  • 13篇张恒
  • 12篇张丽丽
  • 9篇纪伟伟
  • 7篇王立功
  • 7篇吴艳梅
  • 6篇方亮
  • 6篇李慧
  • 6篇穆杰

传媒

  • 9篇电源技术
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料工程
  • 1篇制冷学报

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2023
  • 13篇2022
  • 10篇2021
  • 6篇2020
  • 11篇2019
  • 5篇2018
  • 11篇2017
  • 7篇2016
  • 15篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 98 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
位于GaAs衬底双面的三结太阳能电池
本实用新型涉及一种位于GaAs衬底双面的三结太阳能电池，包括GaAs衬底、第一结In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As电池、第二结GaAs电池和第三结GaInP电池，其特点是：第一结In<Sub...
王帅高鹏刘如彬康培孙强穆杰
文献传递
一种基于GaInNAs材料的四结太阳能电池的制备方法
本发明公开了一种基于GaInNAs材料的四结太阳能电池的制备方法，包括衬底处理、MOCVD生长、加入超晶格缓冲等步骤。与现有的四结太阳电池制备方法相比，本发明所涉及的制备方法采用超晶格缓冲层，可以在MOCVD中制备高质量...
石璘刘如彬高鹏薛超刘丽蕊姜明序张无迪肖志斌孙强
一种微型高能二次电池及其制备方法
本发明提供一种微型高能二次电池，包括相互交叠的正极片、隔膜和负极片，隔膜设置于正极片和负极片中间，隔开正极片和负极片，正极片设置有正极极耳，负极片设置有负极极耳。本发明解决目前现有技术中微型锂离子电池性能难以提升的问题，...
纪伟伟高鹏孟占昆
一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法
本发明属于化学电源技术领域，特别是涉及用于一种薄膜锂电池及界面修饰层的制备方法，包括如下步骤，S1、在基底上沉积金属作为缓冲层；S2、在缓冲层上沉积金属作为集流体；S3、在S2中金属上沉积正极薄膜；将沉积好的正极薄膜放置...
纪伟伟王胜利高鹏
文献传递
薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺
本发明公开了一种薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺，上述衬底保护结构包括：GaAs电池、牺牲层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保...
薛超姜明序高鹏孙强肖志斌
衬底增强型轻质高效薄膜砷化镓太阳电池被引量：1
2021年
将蜂窝增强结构引入薄膜砷化镓太阳电池制备工艺,进行了三结砷化镓太阳电池外延设计与生长工艺以及蜂窝结构增强型柔性衬底制备技术研究。通过激光扫描显微镜、EL发光测试、I-V测试等手段分析了衬底增强型轻质高效薄膜砷化镓太阳电池制备工艺及结果。最终成功制备了面积达到24 cm^(2)的薄膜砷化镓太阳电池。其效率达到30.57%(AM0,25℃),质量比功率可达到2.4 kW/kg。这为薄膜砷化镓太阳电池在未来载人航天、临近空间飞行器等应用打下了技术基础。
姜明序王赫刘树峰高鹏
关键词：面密度
一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法，在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂；有机柔性衬底为有机薄膜，外延衬底为砷化镓衬底，砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片，被两块石墨片夹紧的...
姜明序石璘姚立勇张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
文献传递
一种反向生长三结太阳电池的制备方法
本发明涉及一种反向生长三结太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。一种反向生长三结太阳电池的制备方法，其特点是：反向生长GaInP/GaAs/GaInAsN三结太阳电池的制备过程，使用MOCVD‑MBE技术，在G...
方亮张恒张启明高鹏王赫唐悦石璘刘如彬
文献传递
一种磁控储能电容的电介质材料及其制备方法
本发明提供一种磁控储能电容的电介质材料及其制备方法，电介质材料为掺杂磁性元素的CaCu<Sub>3</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>12</Sub>材料，磁性元素的掺杂质量百分比不大于3％。电介质材料的...
王赫杨亦桐徐睿王胜利高鹏
文献传递
利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺
本发明属于太阳能电池领域，具体提供了一种利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺，包括下述步骤：在支撑衬底上，依次生长电池有源层、电池本体层；在电池本体层方向，使用BCB胶与廉价衬底键合；选择腐蚀衬底剥离工艺将支撑衬...
高鹏孙强肖志斌刘如彬薛超张启明
文献传递
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