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刘如彬

作品数：72 被引量：11H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
相关领域：电气工程电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 20篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 59篇电池
  • 34篇太阳电池
  • 20篇键合
  • 19篇太阳能
  • 19篇太阳能电池
  • 18篇隧道结
  • 17篇晶格
  • 14篇衬底
  • 13篇光谱
  • 12篇晶格失配
  • 11篇电流扩展
  • 11篇砷化镓
  • 11篇太阳光
  • 11篇太阳光谱
  • 10篇成核
  • 9篇低温键合
  • 8篇叠层
  • 8篇叠层太阳电池
  • 8篇外延片
  • 8篇INGAN

机构

  • 72篇中国电子科技...
  • 8篇天津蓝天太阳...

作者

  • 72篇刘如彬
  • 61篇孙强
  • 50篇张启明
  • 40篇张恒
  • 30篇高鹏
  • 24篇唐悦
  • 21篇薛超
  • 20篇肖志斌
  • 18篇王帅
  • 9篇姜明序
  • 8篇宋健
  • 8篇吴艳梅
  • 8篇姚立勇
  • 7篇王立功
  • 7篇李慧
  • 6篇孙彦铮
  • 5篇王赫
  • 5篇方亮
  • 5篇王宇
  • 4篇穆杰

传媒

  • 7篇电源技术
  • 1篇设备管理与维...

年份

  • 3篇2023
  • 7篇2022
  • 7篇2021
  • 2篇2020
  • 8篇2019
  • 6篇2018
  • 7篇2017
  • 8篇2016
  • 9篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法
本发明公开了一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法，属于太阳电池技术领域，从下至上依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、Ga<Sub>1‑a</Sub>In<Sub>a</Sub>As晶格渐变缓冲...
张恒孙强刘如彬张启明
一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池的制备方法
本发明涉及一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池的制备方法，包括在衬底上依次生长GaN成核层、GaN缓冲层、n-GaN层和p-GaN层，其特征在于：在n-GaN层和p-GaN层之间还生长未掺杂的i-In<Sub>x</...
刘如彬孙强张启明王帅康培高鹏穆杰
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一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法
本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法，其特点是：多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为：在砷化镓衬底上生长0.8‑1.2μm的GaAs缓冲层，18...
王帅刘如彬孙强肖志斌高鹏张启明王立功李慧
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一种锗基晶格失配四结太阳电池
本发明公开了一种锗基晶格失配四结太阳电池，属于太阳电池技术领域，其特征在于，自下而上依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、(AlGa)<Sub>1‑b</Sub>In<Sub>b</Sub>...
张恒孙强刘如彬张启明
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一种五结叠层太阳电池及其制备方法
本发明涉及太阳电池技术领域，提供一种五结叠层太阳电池及其制备方法，所述五结叠层太阳电池包括三结电池结构和双结电池结构；三结电池结构依次包括GaAs帽层、AlGaInP子电池、第一隧穿结、AlGaAs子电池、第二隧穿结、G...
张恒孙强刘如彬张启明
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一种带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法
本发明涉及一种带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法：(1)制备三结太阳电池外延片，表面涂覆光刻胶；(2)采用光刻显影，在光刻胶上绘制二极管区域与电...
石璘王宇姜明序张无迪薛超刘丽蕊高鹏刘如彬张启明肖志斌孙强
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一种正向失配五结太阳电池
本发明公开了一种正向失配五结太阳电池，属于太阳能电池结构技术领域，其特征在于，从下至上依次包括：锗衬底、Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</Sub>In<S...
张启明刘如彬张恒唐悦宋健孙强
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一种双面生长的InP五结太阳电池
本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池，包括双面抛光的InP衬底，InP衬底上表面设置有(Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>)<Sub>y</Sub>In<Sub>1-y</Sub>P子电...
张恒孙强刘如彬张启明唐悦
一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池
本发明涉及一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池，包括一衬底，其上依次为GaN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层和Mg掺杂的p-GaN层，其特点是：Si掺杂的n-GaN层上生长有i-In<Sub>x</Sub...
刘如彬孙强张启明王帅康培高鹏穆杰
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一种制备高效五结太阳电池的低温半导体键合方法
本发明涉及一种制备高效五结太阳电池的低温半导体键合方法，首先分别在GaAs和InP衬底上生长不同带隙但晶格匹配的外延层，然后通过低温半导体键合方法，将两组外延层串联起来构成5结太阳电池。在键合工艺中首先采用化学机械抛光工...
王赫高鹏张恒刘如彬张无迪孙强
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