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张恒
作品数:
45
被引量:7
H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团公司第十八研究所
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相关领域:
电气工程
电子电信
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合作作者
张启明
中国电子科技集团公司第十八研究...
刘如彬
中国电子科技集团公司第十八研究...
孙强
中国电子科技集团公司第十八研究...
唐悦
中国电子科技集团公司第十八研究...
薛超
中国电子科技集团公司第十八研究...
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一种GaInP/GaAs/μc-Si:H三结叠层太阳电池
本发明涉及一种GaInP/GaAs/μc‑Si:H三结叠层太阳电池。本发明属于太阳电池技术领域。一种GaInP/GaAs/μc‑Si:H三结叠层太阳电池,其特点是:GaInP/GaAs/μc‑Si:H三结叠层太阳电池,采...
方亮
张启明
张恒
刘如彬
高鹏
姜明序
王赫
文献传递
一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池
本发明公开了一种基于砷化镓材料的激光电池制备方法及电池,属于太阳能电池技术领域,至少包括:S1、采用金属有机化学气相沉积技术在砷化镓衬底上面沉积Ga<Sub>1‑x</Sub>In<Sub>x</Sub>As缓冲层;S2...
唐悦
张启明
张恒
刘如彬
孙强
文献传递
用于多结叠层太阳电池的GaInAsN材料研究进展
被引量:3
2015年
1.0eV的GaInAsN材料是实现与Ge或GaAs衬底晶格匹配的高效多结叠层太阳电池的理想材料。但是,目前制备高质量的GaInAsN材料较为困难,使得相应电池性能低下,未能达到预想的效果。介绍了几种生长GaInAsN材料的外延工艺,探讨了各种外延方法导致材料生长困难的原因和相应的改进工艺,并在总结了GaInAsN太阳电池研究现状的基础上对其未来发展趋势进行了展望。
张启明
张恒
刘如彬
唐悦
孙强
关键词:
GA
N
分子束外延
化学束外延
一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法
本发明公开了一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法,属于太阳电池技术领域,从下至上依次包括:锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、Ga<Sub>1‑a</Sub>In<Sub>a</Sub>As晶格渐变缓冲...
张恒
孙强
刘如彬
张启明
一种正向失配五结太阳电池
本发明公开了一种正向失配五结太阳电池,属于太阳能电池结构技术领域,其特征在于,从下至上依次包括:锗衬底、Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</Sub>In<S...
张启明
刘如彬
张恒
唐悦
宋健
孙强
文献传递
一种双面生长的InP五结太阳电池
本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池,包括双面抛光的InP衬底,InP衬底上表面设置有(Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>)<Sub>y</Sub>In<Sub>1-y</Sub>P子电...
张恒
孙强
刘如彬
张启明
唐悦
一种用于空间多结太阳电池测试的太阳模拟器
本发明公开了一种用于空间多结太阳电池测试的太阳模拟器,属于空间太阳电池测试技术领域,其特征在于,至少包括:光源:所述光源包括短弧氙灯;将所述短弧氙灯发出的光线汇聚至目标光路的聚光镜;位于目标光路中,且顺着光线传输方向依次...
薛超
孙强
刘如斌
张启明
张恒
文献传递
一种制备高效五结太阳电池的低温半导体键合方法
本发明涉及一种制备高效五结太阳电池的低温半导体键合方法,首先分别在GaAs和InP衬底上生长不同带隙但晶格匹配的外延层,然后通过低温半导体键合方法,将两组外延层串联起来构成5结太阳电池。在键合工艺中首先采用化学机械抛光工...
王赫
高鹏
张恒
刘如彬
张无迪
孙强
文献传递
一种正向失配四结太阳能电池
本发明涉及太阳能电池技术领域,提供一种正向失配四结太阳能电池,包括Ge衬底和帽层,其中,从所述Ge衬底到所述帽层依次设有Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</...
张启明
张恒
刘如彬
唐悦
石璘
孙强
文献传递
一种三端结构具有光谱自适应的光电系统
本发明公开了一种三端结构具有光谱自适应的光电系统,属于太阳能电池技术领域,其特征在于,至少包括:实现光电转换功能的电源模块,所述电源模块包括光电池;在所述光电池上设有三个输出电极;所述三个输出电极分别为负极、正极和位于外...
郭宏亮
薛超
孙强
张启明
刘如彬
张恒
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