乔保卫
- 作品数：4 被引量：16H指数：3
- 供职机构：上海交通大学微纳科学技术研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 相变存储器多态存储方法被引量：4
- 2008年
- 提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景.
- 刘欣周鹏林殷茵汤庭鳌赖云峰乔保卫冯洁蔡炳初BOMY CHEN
- 关键词：微电子技术相变存储器
- Ge_2Sb_2Te_5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性被引量：5
- 2005年
- 对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系。
- 凌云林殷茵赖连章乔保卫赖云锋冯洁汤庭鳌蔡炳初Bomy.Chen
- 关键词：非晶半导体阈值电压相变存储器
- 氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能被引量：8
- 2006年
- 通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.
- 赖云锋冯洁乔保卫凌云林殷茵汤庭鳌蔡炳初陈邦明
- 关键词：相变存储器N掺杂
- 不挥发相变存储器存储介质及其器件的基础研究
- 基于硫系化合物的相变存储器(Phase-change Random Access Memory,简称PRAM)具有不挥发性、循环寿命长(大于10<'13>次)、功耗低、读/写速度快、抗辐射以及和现有的CMOS工艺兼容等优...
- 乔保卫
- 关键词：相变存储器存储器技术存储介质
- 文献传递
