凌云
- 作品数：2 被引量：12H指数：2
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- Ge_2Sb_2Te_5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性被引量：5
- 2005年
- 对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能。研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系。
- 凌云林殷茵赖连章乔保卫赖云锋冯洁汤庭鳌蔡炳初Bomy.Chen
- 关键词：非晶半导体阈值电压相变存储器
- 氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能被引量：8
- 2006年
- 通过反应溅射的方法,制备了N掺杂的Ge2Sb2Te5(NGST)薄膜,用作相变存储器的存储介质.研究表明,掺杂的N以GeN的形式存在,不仅束缚了Ge2Sb2Te5(GST)晶粒的长大也提高了GST的晶化温度和相变温度.利用NGST薄膜的非晶态、晶态面心立方相和晶态六方相的电阻率差异,能够在同一存储单元中存储三个状态,实现相变存储器的多态存储功能.
- 赖云锋冯洁乔保卫凌云林殷茵汤庭鳌蔡炳初陈邦明
- 关键词：相变存储器N掺杂
