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付英春

作品数：26 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 17篇存储器
  • 13篇相变存储
  • 13篇相变存储器
  • 12篇自对准
  • 8篇刻蚀
  • 7篇相变材料
  • 6篇电子束曝光
  • 6篇淀积
  • 6篇掩模
  • 6篇光刻
  • 6篇干法刻蚀
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇局域
  • 4篇局域化
  • 4篇光刻胶
  • 3篇电极
  • 3篇相变

机构

  • 26篇中国科学院

作者

  • 26篇杨富华
  • 26篇付英春
  • 10篇王晓东
  • 9篇季安
  • 8篇周亚玲
  • 7篇张加勇
  • 6篇马刘红
  • 5篇杨香
  • 5篇马慧莉
  • 4篇白云霞
  • 4篇梁秀琴
  • 2篇王晓峰
  • 1篇徐晓娜
  • 1篇洪文婷
  • 1篇吕奇峰
  • 1篇韩伟华

传媒

  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米尺度相变存储器小型化研究进展被引量：1
2015年
相变存储器(PCRAM)因其具有非挥发性、循环寿命长、结构简单、与现有CMOS工艺相匹配等优点,在存储技术领域受到了广泛重视。综述了相变存储器器件小型化的研究现状,介绍了相变存储器的基本原理和特性。概述了目前相变存储器器件小型化的方法,主要包括器件结构优化和材料优化。器件结构优化的主要目的是减小有效相变体积以降低单元尺寸。材料优化主要是针对电极材料,选用性能优异的新材料替代传统金属材料作电极材料以实现器件小型化。对不同方法制作的各种器件结构所涉及的工艺特点进行了分析,并且比较了不同的器件结构对操作电流的影响,为相变存储器器件小型化的进一步发展提供了参考。
周亚玲付英春王晓峰王晓东杨富华
关键词：小型化电极材料
基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法
本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对...
付英春周亚玲王晓峰杨富华马刘红杨香王晓东
文献传递
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法，包括：在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一功能材料层和牺牲材料层；旋涂SU-8胶并电子束曝光；干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面；淀积第二功能材料层；经电子束曝光形成横...
付英春王晓峰张加勇白云霞梁秀琴马慧莉季安杨富华
一种将柔性薄膜材料粘附在玻璃基底上的方法
本发明公开了一种将柔性薄膜材料粘附在玻璃基底上的方法，该方法包括：步骤1：清洗玻璃基底和柔性薄膜材料；步骤2：在该玻璃基底上滴加SU8光刻胶；步骤3：将该柔性薄膜材料的一侧接触该SU8光刻胶，并将该柔性薄膜材料从一侧到另...
付英春王晓峰王晓东杨富华
文献传递
侧墙技术在相变存储器中的应用
2012年
从相变存储器(phase change random access memory,PCRAM)的基本结构和工作原理出发,首先介绍了PCRAM的技术优势、面临的技术挑战、常用的解决策略以及存在的相应问题;接着阐述了在微电子加工中广泛应用的关键工艺——侧墙技术,并将其在PCRAM中的应用成果进行了分类;然后从加热电极的制备、相变材料限制结构的制备、新相变材料的制备与表征和器件间互联等4个方面展开叙述;最后展望了该技术在相变存储领域应用发展的趋势。侧墙技术因其具备自对准的特点,制备工艺可控性好,制备精度不依赖于光刻精度,在纳米技术飞速发展的今天,侧墙技术将会在更高精度上发挥其作用。
付英春王晓峰张加勇徐晓娜马慧莉季安杨富华
关键词：侧墙微纳加工
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一...
付英春王晓峰张加勇白云霞梁秀琴马慧莉季安杨富华
文献传递
一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法
本发明公开了一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法。该方法在多种相变材料在水平金属电极间的高精度自对准制备的基础上，通过加电脉冲控制全限制量子点的相变，并且采用TEM对相变过程进行实时监测、记录，从而能够实时检测各量...
付英春王晓峰季安杨富华
文献传递
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
一种通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长电热绝缘材料层及再淀积第一功能材料层；旋涂光刻胶作为牺牲层，光刻，形成条形的光刻胶掩模；通过干法刻蚀第一功能材料层至电热绝缘材料层的上表面，使第一...
付英春王晓峰张加勇白云霞梁秀琴马慧莉季安杨富华
文献传递
一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法
本发明公开了一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法。该方法在多种相变材料在水平金属电极间的高精度自对准制备的基础上，通过加电脉冲控制全限制量子点的相变，并且采用TEM对相变过程进行实时监测、记录，从而能够实时检测各量...
付英春王晓峰季安杨富华
文献传递
多位高集成度垂直结构存储器的制备方法
一种多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积第一电热隔离材料层；淀积第一电极材料层，淀积第二电热隔离材料层；淀积第二电极材料层，形成第二下电极；淀积第三电热隔离材料层；制作第三下电极；淀积第四电热隔离材料...
付英春王晓峰杨富华
文献传递
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