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周亚玲

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 8篇相变存储
  • 8篇相变存储器
  • 8篇存储器
  • 6篇自对准
  • 4篇局域
  • 4篇局域化
  • 3篇相变材料
  • 2篇电脉冲
  • 2篇淀积
  • 2篇旋涂
  • 2篇掩模
  • 2篇填孔
  • 2篇自对准工艺
  • 2篇自选择
  • 2篇无掩模
  • 2篇晶态
  • 1篇电场
  • 1篇电极
  • 1篇电极材料
  • 1篇相变

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇杨富华
  • 8篇付英春
  • 8篇周亚玲
  • 8篇王晓东
  • 5篇马刘红
  • 5篇杨香
  • 1篇王晓峰

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
纳米尺度相变存储器小型化研究进展被引量：1
2015年
相变存储器(PCRAM)因其具有非挥发性、循环寿命长、结构简单、与现有CMOS工艺相匹配等优点,在存储技术领域受到了广泛重视。综述了相变存储器器件小型化的研究现状,介绍了相变存储器的基本原理和特性。概述了目前相变存储器器件小型化的方法,主要包括器件结构优化和材料优化。器件结构优化的主要目的是减小有效相变体积以降低单元尺寸。材料优化主要是针对电极材料,选用性能优异的新材料替代传统金属材料作电极材料以实现器件小型化。对不同方法制作的各种器件结构所涉及的工艺特点进行了分析,并且比较了不同的器件结构对操作电流的影响,为相变存储器器件小型化的进一步发展提供了参考。
周亚玲付英春王晓峰王晓东杨富华
关键词：小型化电极材料
基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法
本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对...
付英春周亚玲王晓峰杨富华马刘红杨香王晓东
文献传递
垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法
本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺...
付英春王晓峰周亚玲杨富华马刘红杨香王晓东
基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法
一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长第一电热绝缘材料层，旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层；在第一电热绝缘层上淀积第一功能材料层，并形成第一功能材料层缝隙；之其上制备一层相变材料层；退火...
周亚玲付英春王晓峰王晓东杨富华
基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法
本发明提出的一种基于自选择腐蚀的水平全限制相变存储器的制备方法，解决了GST填充困难和对化学机械抛光(CMP)工艺的依赖的难题。处于晶态和非晶态下的GeSbTe合金在碱性溶液中的腐蚀速率差异超过一个数量级，通过加热电极对...
付英春周亚玲王晓峰杨富华马刘红杨香王晓东
文献传递
基于锥形衬底的相变存储器的制备方法
本发明提出了一种基于锥形衬底的相变存储器的制备方法。基于绝缘锥形衬底的相变单元，电极电场在相变材料中设计的局部区域(锥形衬底顶端上方)得以增强，诱导相变。这样就可以在不缩小相变材料物理体积的情况下，减小有效的相变体积，从...
付英春马刘红杨富华王晓峰周亚玲杨香王晓东
文献传递
垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法
本发明提出一种垂直结构全限制相变存储器的自对准制备方法，一方面，采用无掩模相变材料填充、退火并湿法腐蚀形成局域化相变材料的方法，不仅降低了填孔工艺中的深宽比，提高了薄膜的填充质量，而且该相变材料填充工艺为自对准工艺，工艺...
付英春王晓峰周亚玲杨富华马刘红杨香王晓东
文献传递
基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法
一种基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法，该方法包括：在衬底上生长第一电热绝缘材料层，旋涂并光刻形成纵向第一掩膜层；在第一电热绝缘层上淀积第一功能材料层，并形成第一功能材料层缝隙；之其上制备一层相变材料层；退火...
周亚玲付英春王晓峰王晓东杨富华
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