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富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究被引量：2: 2014年; 采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究。结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性。由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加。; 杨帆杨瑞霞陈爱华孙聂枫刘志国李晓岚潘静; 关键词：磷化铟

磷化铟晶体中与配比相关的缺陷密度研究: 随着半导体产业的不断发展进步，化合物半导体材料InP表现出来的优势越来越明显。熔体的化学配比能够影响晶体内部缺陷，从而决定着材料的性质。在富磷条件下制备InP单晶材料，更有利于实现非掺杂InP的半绝缘特性。而在富磷熔体中...; 刘志国; 关键词：缺陷密度; 文献传递

InP晶片位错密度的测量与分析: 2013年; 采用湿法腐蚀方法研究了HCl,H3PO4和HBr等不同腐蚀液在显示<100>InP晶片位错中的作用,及腐蚀温度、腐蚀时间、光照条件等因素对腐蚀速率和腐蚀效果的影响,最后统计3英寸(1英寸=2.54 cm)<100>InP晶片位错密度分布,分析其位错产生原因。经过实验表明,单一的HCl或H3PO4腐蚀剂无法显示出<100>InP晶片的位错坑,而单一的HBr能够很好地显示出四方形的位错坑。在<100>InP晶片的混合位错腐蚀液中,HBr占主导作用,HCl及H3PO4起辅助作用。在腐蚀过程中提供光照或者提高腐蚀温度都可以明显提高腐蚀速率。在光照条件下,半导体会激发出空穴-电子对,在半导体表面增加载流子可以有效提高反应速率,从而提高腐蚀速率。化学反应速率常数k随温度升高呈指数升高,所以提高腐蚀温度可以有效提高腐蚀速率。InP晶片位错主要是由晶体内部热应力引起的。; 李岚黄清芳刘志国杨瑞霞李晓岚孙聂枫; 关键词：磷化铟湿法腐蚀腐蚀速率

富磷InP单晶中气孔的形成及其结构研究被引量：1: 2013年; 采用P注入原位合成液封直拉生长法制备了富磷的3英寸(1英寸=2.54 cm)〈100〉InP单晶锭,对晶体中气孔的形成机理做了初步分析。采用场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品进行表面形貌及成分分析(EDS),采用X射线衍射仪对样品结晶质量进行测试。结果表明,在晶体生长过程中,熔体中富余的磷会形成磷气泡,磷气泡容易在固液界面边缘处堆积,进而形成气孔,晶片边缘处的孔洞较大且数量较多;晶体生长结束后,富余的磷会冷凝并淀积在气孔内壁上,在晶锭退火时,开始的热冲击使得气孔中富余的磷气化,降温过程中,由于晶锭内部温度高,富余的磷先冷凝并淀积在气孔内壁靠近晶锭边缘的一侧;晶片孔洞附近的结晶质量远低于无孔洞位置。; 刘志国杨瑞霞杨帆王阳王书杰孙同年孙聂枫; 关键词：磷化铟气孔

热处理对电气石粉体表面自由能的影响研究: 本研究以内蒙古某地出产的天然黑色电气石为例，系统研究了热处理对电气石粉体表面自由能的影响规律和机理，属于无机非金属材料技术领域的生态环境功能材料研究范畴。将电气石超细粉体在400~900℃不同时间下焙烧，然后...; 刘志国; 关键词：表面自由能无机非金属材料; 文献传递

LEC法生长富磷掺铁InP单晶晶格应变与残留应力研究被引量：1: 2014年; 运用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的InP熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了3英寸富磷掺Fe的InP单晶。运用高分辨率X射线衍射技术、偏振差分透射谱测试技术、光致荧光谱技术对富磷掺Fe的InP晶片进行了结构、应力及发光特性测试。结果表明,晶格的应变导致了PL发光峰峰位的变化,晶格应变与残留应力测试结果相一致,说明材料生长过程中的热应力是导致样品晶格常数分布不均匀的主要因素。; 陈爱华杨瑞霞杨帆刘志国孙聂枫; 关键词：磷化铟残留应力

磷化铟单晶退火及热应力分布的研究被引量：8: 2013年; 磷化铟单晶生长是一种液相转变为固相的过程,晶体生长过程中的热场条件直接影响晶体的热应力、电学均匀性、位错密度、晶片的几何参数。通过实验和理论分析研究热场条件对InP晶体生长的影响,通过晶锭退火、晶片退火、位错测量、应力测量等实验研究、分析位错密度与残余热应力的关系和减除热应力的方法。在InP晶体生长阶段,熔体温度、炉内气体压强、氧化硼厚度、熔体及晶体的形状、炉体结构、加热功率等都是影响晶体生长过程中热场分布的因素。这些因素共同导致晶体内部产生径向和轴向温度梯度,从而产生热应力。晶体长时间处于温度梯度很小的高温状态,能使其应力得到释放并且内部的晶格畸变也会发生变化。通过后期适当的高温热处理可以使晶体内部残余热应力得到释放。采用金相显微镜观察InP样片观察到的位错呈现"十"字状分布,中心和边缘位错低,两者之间的"十"字部分位错高,与晶片残余应力分布基本保持一致。晶体生长过程中,热应力大于临界剪切应力导致的晶格滑移使InP的晶格结构产生畸变,导致晶体内部形成位错。; 黄清芳王阳刘志国杨瑞霞孙同年孙聂枫; 关键词：INP 单晶热应力位错

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刘志国