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刘胜北

作品数：30 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家电网公司科技项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 18篇碳化硅
  • 8篇刻蚀
  • 5篇半导体
  • 4篇导体
  • 4篇势垒
  • 4篇肖特基
  • 4篇肖特基二极管
  • 4篇半导体薄膜
  • 4篇衬底
  • 3篇氮化
  • 3篇真空系统
  • 3篇碳化硅衬底
  • 3篇图形化
  • 3篇退火
  • 3篇旁路控制
  • 3篇外延层
  • 3篇逻辑
  • 3篇逻辑关系
  • 3篇光刻
  • 3篇硅衬底

机构

  • 30篇中国科学院
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇国网智能电网...

作者

  • 30篇刘胜北
  • 25篇孙国胜
  • 24篇刘兴昉
  • 22篇曾一平
  • 22篇刘斌
  • 18篇闫果果
  • 17篇张峰
  • 16篇王雷
  • 16篇赵万顺
  • 11篇郑柳
  • 10篇杨富华
  • 10篇董林
  • 10篇何志
  • 10篇杨香
  • 10篇王晓东
  • 7篇樊中朝
  • 7篇赵永梅
  • 5篇田丽欣
  • 5篇刘敏
  • 2篇颜伟

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 10篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法
本发明公开了一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法，包括以下步骤：步骤1、在碳化硅晶体表面生长氮化铝掩膜层；步骤2、在氮化铝掩膜层上刻蚀形成刻蚀碳化硅晶体所需图形；步骤3、利用所述氮化铝掩膜层上的所述图形对所述...
刘胜北何志刘斌刘兴昉杨香樊中朝王晓峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
文献传递
碳化硅外延层区域掺杂的方法
一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括：取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺...
刘兴昉刘斌闫果果刘胜北王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
文献传递
材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法
一种材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法，包括如下步骤：步骤1：取一第一碳化硅片；步骤2：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第一碳化硅片上制备薄膜层；步骤3：取一第二碳化硅片；步骤4：采用电子束蒸发或磁控溅射的方法，在第二碳...
赵永梅何志季安刘胜北黄亚军杨香段瑞飞张明亮王晓东杨富华
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GaN高电子迁移率晶体管强电磁脉冲损伤效应与机理被引量：4
2016年
提出了一种新型GaN异质结高电子迁移率晶体管在强电磁脉冲下的二维电热模型,模型引入材料固有的极化效应,高场下电子迁移率退化、载流子雪崩产生效应以及器件自热效应,分析了栅极注入强电磁脉冲情况下器件内部的瞬态响应,对其损伤机理和损伤阈值变化规律进行了研究.结果表明,器件内部温升速率呈现出"快速-缓慢-急剧"的趋势.当器件局部温度足够高时(2000 K),该位置热电子发射与温度升高形成正反馈,导致温度急剧升高直至烧毁.栅极靠近源端的柱面处是由于热积累最易发生熔融烧毁的部位,严重影响器件的特性和可靠性.随着脉宽的增加,损伤功率阈值迅速减小而损伤能量阈值逐渐增大.通过数据拟合得到脉宽τ与损伤功率阈值P和损伤能量阈值E的关系.
刘阳柴常春于新海樊庆扬杨银堂席晓文刘胜北
关键词：GAN高电子迁移率晶体管
一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法
本发明公开了一种在零偏角衬底上外延碳化硅的方法，包括：步骤1：取一零偏角衬底并清洗；步骤2：在零偏角衬底之上外延硅层；步骤3：升高温度使硅层熔化形成熔融硅层；步骤4：通入碳源，使熔融硅层转变成碳化硅层；步骤5：判断碳化硅...
刘兴昉刘斌闫果果刘胜北王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
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一种新型的4H-SiC沟槽型MOS势垒肖特基二极管的设计和模拟研究
在本文中，介绍了一种新型4H-SiC基TMBS器件的设计一方案及其电学特性模拟结果。这种新型的器件结构的特点在于：沟槽侧壁的氧化层设计的较薄，目的是加强沟槽侧壁MOS结构的电荷耦合作用，使器件在承受高反压的情况下更好的夹...
郑柳孙国胜张峰刘胜北董林刘兴昉刘斌闫果果王雷赵万顺
关键词：肖特基二极管氮化硅电学特性
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碳化硅外延层区域掺杂的方法
一种碳化硅外延层区域掺杂的方法，包括：取一碳化硅衬底，并清洗干净；在衬底的表面外延一第一本征硅层；刻蚀，在第一本征硅层上形成第一图形化硅层，刻蚀深度到达衬底的表面；升高温度使第一本征硅层熔化，通入碳源，同时通入第一类型掺...
刘兴昉刘斌闫果果刘胜北王雷赵万顺张峰孙国胜曾一平
一种通过激光刻蚀碳化硅制备碳化硅超结结构的方法
本发明提供了一种制备碳化硅超结结构的方法，首先采用激光刻蚀对碳化硅外延片进行图形化刻蚀，以在所述碳化硅外延片表面形成沟槽，然后在沟槽中外延生长碳化硅，以形成碳化硅超结结构。本发明通过激光刻蚀来制备碳化硅超结结构，在SiC...
刘敏何志刘胜北刘兴昉杨香樊中朝王晓峰潘岭峰王晓东赵永梅杨富华孙国胜曾一平
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塔式多片外延生长装置
一种塔式多片外延生长装置，包括：一塔式片架，该塔式片架包括：三个立柱，每一立柱上开有凹槽，立柱上的凹槽有多个，三个立柱相同高度位置的凹槽构成一组；托盘，其边缘厚度与每一立柱上的凹槽的高度相同，每个托盘可以稳定固定于一组凹...
刘兴昉刘胜北刘斌闫果果赵万顺王雷张峰孙国胜曾一平
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碳化硅材料腐蚀炉
一种碳化硅材料腐蚀炉，包括：一主体加热炉，为耐热陶瓷构成的上端开口的中空圆柱体，内壁面有隔热材料，外壁面为不锈钢材料，耐热陶瓷内埋设有电炉丝；一镍质炉盖，位于主体加热炉的开口上方；一镍坩埚，位于主体加热炉内；一镍篮旋转装...
董林孙国胜赵万顺王雷刘兴昉刘斌张峰闫果果郑柳刘胜北
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