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卢伟

作品数:6 被引量:10H指数:2
供职机构:东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家杰出青年科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇光刻
  • 3篇元胞
  • 3篇元胞自动机
  • 3篇自动机
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光刻胶
  • 2篇光刻模拟
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇吡啶
  • 1篇烷基吡啶
  • 1篇负性
  • 1篇ND
  • 1篇TCNQ
  • 1篇
  • 1篇CN
  • 1篇LB膜
  • 1篇N
  • 1篇Q

机构

  • 6篇东南大学

作者

  • 6篇卢伟
  • 4篇李伟华
  • 4篇周再发
  • 4篇黄庆安
  • 2篇袁春伟

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇首届中国功能...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇1993
  • 1篇1992
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
负性化学放大胶的光刻模型及模拟被引量:2
2005年
在Ferguson的负性化学放大胶(CAR)后烘反应动力学模型基础上,增加了后烘过程中光致酸扩散模型,通过后烘模型的简化,得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较,结果显示,简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确,且程序运行占用的电脑资源更少。另外,通过不同曝光时间下的显影过程模拟,清晰地反映了光刻胶显影的过程,其结果与实际相符,对实际光刻工艺有较好的参考意义。
卢伟黄庆安李伟华周再发
关键词:光刻模拟
用于光刻胶刻蚀过程模拟的二维动态CA模型被引量:2
2006年
针对光刻工艺模拟,首次建立了光刻胶刻蚀过程模拟的2-D动态元胞自动机(CA)模型,通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞,使得模拟只需要计算表面元胞的刻蚀过程.模型既有稳定性好的优点,又有运算速度快的优点.采用一些公认的光刻速率分布测试函数非常有效地模拟了光刻过程,模型在刻蚀速率变化非常大的区域也非常稳定.
周再发黄庆安李伟华卢伟
关键词:元胞自动机光刻模拟
NDP-TCNQ导电LB膜的结构和碘气氛中特性的实验研究
1993年
空气中制得的N—廿二烷基吡啶嗡-四氰基喹喏二甲烷(NDP-TCNQ)LB膜的横向电导率可达4×10^(-3)S·cm^(-1),其紫外~可见光谱及红外光谱与NDP-TCNQ复合物LB膜的谱图十分相似.小角X-射线衍射结果表明膜有较好的层状结构.对膜在碘蒸气作用下的电导率随时间的变化亦进行了初步探讨.
袁春伟卢伟陈春云
关键词:LB膜电导率
N—二十二烷基吡啶嗡—TCNQ导电LB膜的研究
1前言在氮气氛中,用Lanmuir-Blodgett(LB)技术制得的N-二十二烷基吡啶嗡-TCNQ (NDP-TCNQ)超薄膜的横向电导率在10~10S/cm,此绝缘膜与碘蒸气作用形成混合价态的TCNQ柱列使得电导率升...
袁春伟陈春云卢伟吴海明
文献传递
光刻胶刻蚀过程模拟的三维动态CA模型被引量:4
2007年
建立了光刻胶刻蚀过程模拟的三维动态CA模型,通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞,使得模拟只需计算表面元胞的刻蚀过程;同时模型避免了在模拟程序中大量运用if-else结构,使运算速度大大提高.因此模型具有稳定性好、运算速度快的优点.首先利用一些刻蚀速率测试函数对模型进行测试,验证了模型的效果.随后结合曝光过程和后烘过程模拟,采用一个精度较高的光刻胶刻蚀速率计算公式模拟光刻胶刻蚀过程;并将模拟结果与已有的实验结果进行了对比,比较一致.这些结果表明建立的光刻胶刻蚀过程模拟的三维动态CA模型具有较高的精度,能有效地模拟光刻胶刻蚀过程,并可与曝光、后烘等光刻工艺模拟的其他步骤集成在一起.
周再发黄庆安李伟华卢伟
关键词:元胞自动机光刻
光刻胶刻蚀过程模拟的元胞自动机算法研究被引量:2
2005年
针对光刻胶刻蚀过程模拟,提出了一种新的2-D动态元胞自动机(CA)算法。算法既有稳定性好的优点,又有运算速度快的优点。采用一些公认的光刻速率分布测试函数非常有效地模拟了光刻过程,算法在腐蚀速率变化非常大的区域也非常稳定。用该动态CA算法模拟了负化学放大胶的光刻过程,模拟结果与已有的实验结果一致。表明建立的2-D动态CA算法可以有效地用于光刻胶刻蚀过程的模拟。
周再发黄庆安李伟华卢伟
关键词:光刻胶刻蚀元胞自动机
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