吕世骥
- 作品数：26 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 场助GaAs-玻璃键合工艺的研究
- 1991年
- 本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度.
- 吕世骥黄庆安童勤义
- 关键词：GAAS键合工艺氢等离子体
- 硅电容式触觉传感阵列及相关技术
- 1993年
- 从目前硅电容式触觉传感阵列的研究现状出发,详细分析了各种阵列单元结构、加工工艺、读出电路的设计和性能特征等。最后探讨了今后触觉传感阵列的研究趋向和发展前景。
- 秦明黄庆安吕世骥张会珍
- 关键词：传感器
- 自分光式色敏器件理论设计被引量：1
- 1989年
- 本文首先从色度学角度提出对色敏器件的要求,接着指出现有色敏器件内不适合测物体色的原因,最后提出一种自分光式色敏器件的理论。该器件采用不同厚度的硅片做滤光片,再利用两只性能相近的色敏管输出的差值作信号,这样就可获得区域响应的输出,该输出具有分光性质。该器件的最大优点是可以用程控放大器或微机修正,从而获得精确的物体色的有关参数,而无需附加分光系统。
- 阮宝崧吕世骥蔡跃明
- GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅰ.解析模型
- 1992年
- 本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压随栅取向变化的解析表达式.结果与两维数值分析基本一致.
- 黄庆安吕世骥童勤义
- 关键词：阈值电压漂移
- 利用SOI材料提高触觉传感阵列的性能
- 1991年
- 利用半导体材料、平面工艺和微机械加工研制触觉传感器是当前触觉传感器研究开发的一个重要方面,其中硅膜片电容式触觉传感阵列则是在研究中被广泛采用的结构.然而,触觉传感阵列的性能常受到微机械加工精度的限制.为了提高电容式触觉传感阵列的性能,本工作以SOI材料中异质结界面作为深槽腐蚀中腐蚀自停止界面,以提高硅膜片的表面平整度和厚度均匀性.在此基础上研制了 16×16硅膜片电容式触觉传感阵列,得到了较好的结果.
- 吕世骥黄庆安童勤义袁璟
- 关键词：触觉传感器SOI材料微加工
- 等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响被引量：1
- 1990年
- 本文研究了等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响。结果表明,Si-SiO_2结构经等离子体氢处理后,其界面特性变差。
- 蔡跃明吕世骥
- 关键词：SI-SIO2
- 半导体直接键合的表面处理方法
- 用于半导体片直接键合的表面处理方法，采用等离子体表面处理，不仅可以增加半导体表面的OH浓度，而且可以增加表面层内原子活性。从而显著增大键合强度。本方法可以在半导体表面生长绝缘层的同时完成，操作方便，成本低，便于在批量生产...
- 吕世骥阮宝崧郭跃华蔡跃明陆明莹
- 文献传递
- 识谱电子倍增管
- 一种用作摄谱仪或分光光度计的光电传感器的识谱电子倍增管，由光电阴极、电子透镜、偏转系统、阳极和玻壳组成，其特点是阳极膜片上具有长条形狭缝，阳极狭缝与输出之间设有电子倍增系统。它不仅具有分辨率高的优点，而且具有灵敏度高的优...
- 阮宝崧杨永诚吕世骥
- 文献传递
- 自分光式色敏器件
- 自分光式色敏器件是一种无外加滤色片的半导体色敏器件，由半导体光敏器件和半导体滤光片组成，其特点是采用不同厚度的半导体薄层作为滤光片的n个色敏器件单元构成。它具有结构简单、使用寿命长等优点，不需外加滤色片或分光系统，用于不...
- 阮宝崧吕世骥杨永诚
- 文献传递
- 薄SiO_2膜的等离子体氮化研究
- 1989年
- 本文论述了薄SiO_2膜的低温等离子体氮化。报道了所测试的氮化SiO_2膜的电学性能。利用AES、IR和SIMS等表面分析技术分析了膜的结构和组份,讨论了氮化条件对膜性质的影响,并提出了物理模型加以解释。
- 蔡跃明吕世骥简跃光
- 关键词：SIO2膜等离子体氮化MOS器件
