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张盛东

作品数：7 被引量：11H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇感器
  • 3篇半导体
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇液晶
  • 2篇液晶显示
  • 2篇象素
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇液晶光阀
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇有源矩阵
  • 1篇真空微电子
  • 1篇真空微电子技...
  • 1篇智能传感
  • 1篇智能传感器
  • 1篇跳变
  • 1篇图象
  • 1篇全集成
  • 1篇微电子技术

机构

  • 5篇南京电子器件...
  • 3篇东南大学

作者

  • 7篇张盛东
  • 2篇戴丽英
  • 1篇吕世骥

传媒

  • 4篇光电子技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1990
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
全集成单晶硅有源矩阵液晶光阀方案探讨被引量：1
1995年
本文提出了全集成单晶硅有源矩阵液晶光阀（C－SiAMLCLV）方案。从微电子和液晶显示技术的角度论证了该方案的可行性，给出了实现c－SiAMLCLV的技术途径以及采用该光阔的大屏幕液晶投影显示的系统构成。
张盛东
关键词：单晶硅有源矩阵液晶光阀液晶显示
a-Si TFT LCD象素电压跳变特性研究被引量：1
1993年
提出了α-Si TFT 栅源(源端与象素电极相连)电容不仅为栅源电极间交迭所产生的寄生电容 C_(gsp),还应包括源端沟道与栅电极间的本征电容 C_(gsi)。并以缓变沟道近似模型推导了 C_(gsi)的数学表达式。该式计算结果表明:TFT 开态下C_(gsi)为栅介质电容的一半。在此基础上求出了象素跳变电压ΔV_p 的精确计算公式。该公式圆满解释了传统的ΔVp 公式所不能解释的几个实验结果,从而澄清了对ΔVp 产生机理所存在的模糊认识。
张盛东
关键词：TFT液晶显示器
a－SiTFT　LCD象素电压跳变特性研究被引量：2
1994年
ａ－ＳｉＴＦＴ栅源电容Ｃｇｓ不仅为栅源电极交叠所产生的寄生电容Ｃｇｓｐ，还应包括栅电极与源端沟道间的本征电容Ｃｇｓｉ．用缓变沟道近似模型推导了Ｃｇｓｉ的表达式。通过对象素电极电压跳变公式的修正，圆满解释了先前的公式所不能解释的几个实验结果，从而澄清了对电压跳变机理的模糊认识。
张盛东薛文进
关键词：跳变图象
新型半导体磁敏传感器被引量：5
1992年
本文综述了当前最具代表性的几类新型半导体磁敏传感器的基本原理和典型结构,详细比较和分析了它们各自的特点和在制作、应用上的限制,扼要介绍了它们的研制动态和主要应用。
戴丽英张盛东
关键词：磁敏传感器超晶格传感器半导体
半导体智能传感器的研制动态及技术课题被引量：2
1992年
智能传感器的开发、使用已为人们所关注,20多年来,国内外有很多报导.本文就此对其概念、研制动态和需要解决的技术课题等作一综合性介绍,供同仁参考.1 智能传感器的一般概念和基本特征智能传感器(系统)至今尚无确切含义,在美国俗称Smert Sensor.
张盛东吕世骥
关键词：半导体传感器
光传感器的最新材料及应用
1990年
本文综合介绍了新近出现的各种光传感器材料的特点及用途,并且讨论了采用这些新材料所研制的各种新型光传感器件。
张盛东
关键词：光传感器半导体材料
真空微电子技术的新进展
1992年
本文详实介绍了真空微电子技术最近几年的发展动向并对其在若干领域的应用前景作了分析与讨论.
张盛东戴丽英
关键词：真空微电子冷阴极
全文增补中
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共1页<1>
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