周晓彬
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电路级热载流子效应仿真研究被引量：1
- 2014年
- 随着集成电路制造工艺的不断进步,沟道长度、结深、栅氧厚度等特征尺寸不断减小,而电路的电源电压没有按比例减小,易造成MOSFET的电流-电压特性退化,需要提前在设计阶段加以考虑。对电路长期可靠性问题中的热载流子效应(HCI)进行了仿真研究。
- 高国平曹燕杰周晓彬陈菊
- 关键词：热载流子效应MOSFETIC
- 基于SOI工艺集成电路ESD保护网络分析与设计
- 2014年
- 由于SOI(Silicon-On-Insulator)工艺采用氧化物进行全介质隔离,而氧化物是热的不良导体,因此SOI ESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI(PD SOI)工艺的数字信号处理电路(DSP)的ESD设计理念和方法,并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析,找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化,并经流片及实验验证,较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。
- 胡永强周晓彬
- 关键词：集成电路可靠性
- 一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构
- 本发明公开一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构，属于集成电路领域，包括p型半导体衬底、设置在p型半导体衬底上的有源区、设置在有源区上的栅端、设置在中部的n<Sup>+</Sup>注入区、设置在外围的p<Su...
- 米丹周昕杰周晓彬殷亚楠郭风岐
- 抗辐照标准单元库验证方法研究
- 2015年
- 对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。
- 徐大为姚进胡永强刘永灿周晓彬陈菊
- 关键词：SOI
- 一种高速LVDS接收电路的设计
- 2016年
- 提出了一种内置失效保护功能的高速低压差分信号（Low Voltage Differential Signaling,LVDS）接收电路。该电路不仅解决了传统电路结构在电源电压3 V或更低时不能满足LVDS标准规定的输入共模电压范围内（0.05~2.35 V）稳定工作的问题,而且还可以直接作为LVDS接口电路的输入级使用,节省了外接保护电路。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型库,用spectre进行仿真,在输入共模电压范围内工作稳定,传输速率达到1 Gbps。
- 胡庆成贺凌炜周晓彬
- 关键词：LVDS接收电路共模电压
- 一种双向耐高压的ESD保护器件结构
- 本发明涉及一种双向耐高压的ESD保护器件结构，该ESD保护器件包括衬底，还包括闭合的NWELL环和一整块DNWELL，闭合的NWELL环底部与DNWELL相连，将衬底表面的部分区域隔离出来，形成独立区域；在独立区域上进行...
- 李博高国平罗静王栋周晓彬
- 文献传递
- 数字电路抗单粒子瞬态效应的最小尺寸设计
- 2015年
- 随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小,数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路,单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法,主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性,设计电路中MOS管的尺寸,使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手,计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数,得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容,再折算到器件电容上,最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。
- 田海燕周晓彬陈菊
- 关键词：抗辐射加固数字电路
- 基于PD‑SOI工艺的高ESD耐受能力的输出结构
- 本发明涉及基于PD‑SOI工艺的高ESD耐受能力的输出结构，包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2和PMOS管P1，当输出结构用在输出端口时，第一NMOS管N1的漏端和PMOS管P1的漏端与输出端口相连，PMOS管P...
- 高国平周晓彬贺凌炜罗静
- 文献传递
- 0.13μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究被引量：2
- 2019年
- 利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具,研究了0.13μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应,分析了不同线性能量转移(LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明,LET值的增加会影响沟道电流宽度,加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响,由于栅极中央收集的电荷最多,FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性,器件处于不同工作偏置状态下,关态偏置受单粒子效应影响最大,开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。
- 花正勇马艺珂殷亚楠周昕杰陈瑶姚进周晓彬
- 关键词：FD-SOI单粒子LET偏置
- 一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构
- 本发明公开一种抗总剂量辐射的小沟道宽度NMOS管版图加固结构，属于集成电路领域，包括p型半导体衬底、设置在p型半导体衬底上的有源区、设置在有源区上的栅端、设置在中部的n<Sup>+</Sup>注入区、设置在外围的p<Su...
- 米丹周昕杰周晓彬殷亚楠郭风岐
