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孙甲明: 作品数：32 被引量：53H指数：5; 供职机构：南开大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：理学电子电信冶金工程一般工业技术更多>>

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非晶Si/SiO_2超晶格结构的交流电致发光被引量：4: 2000年; 设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平移的速度或者改变溅射的功率 ,可以控制膜的厚度。通过透射电镜的照片可以看出 Si O2 和 Si膜具有均匀的周期结构 ,用低角 X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表明 ,光学吸收边随 Si层厚度的减小向短波方向移动 ;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸。利用双绝缘层的交流电致发光器件结构 ,首次获得非晶 Si/Si O2 超晶格的蓝绿色电致发光 ,在发射光谱中存在几个分立的发光谱带 ,随 Si层厚度的减小 ,短波发光谱带的相对强度增加。; 孙甲明钟国柱钟国柱; 关键词：超晶格电致发光硅量子点

稀土离子注入的SiO2MOS结构高效率电致发光器件: 硅为间接带半导体材料,发光效率很低,获得高效率硅基发光器件一直是硅基光电子学领域的难题。通常的解决方案是采用硅 pn 结、纳米硅、稀土 Er 掺杂的纳米硅等。但是这些材料的发光波长多集中于近红外和红光波段,目前相关电注入...; 孙甲明W.SkorupaL.RebohleM.Helm; 文献传递

多孔硅中的蓝色发光谱带被引量：1: 1994年; 采用ＹＡＧ：Ｎｄ激光器的１．０６μｍ谱线的三倍频３５５ｎｍ激光激发多孔硅样品时，观测到一个峰值位于４６５ｎｍ的发光谱带，通过样品的发光光谱、透射光谱、以及时间分辨光谱的测量，初步探讨了新谱带的起源．; 孙甲明范希武韩力张吉英费浩生车颜龙; 关键词：多孔硅发光特性光谱

纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响被引量：5: 2009年; 本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响。随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用。相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率。; 张俊杰孙甲明杨阳张新霞刘海旭W.SkorupaM.Helm; 关键词：铒电致发光光致发光纳米硅

离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管被引量：3: 2009年; 本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级。在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰。随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应。; 杨阳孙甲明张俊杰张新霞刘海旭W. SkorupaM. Helm; 关键词：束缚激子离子注入硼调制掺杂

半导体微腔中垂直场GaAs/AlGaAs多量子阱光折变特性的研究: 孙甲明张燕峰张满红黄绮周均铭; 关键词：半导体微腔 GAAS/ALGAAS 多量子阱

集成硅基发光器件的研究: 高效率硅材料电致发光器件的突破性进展将对于光电集成、光互联的发展将产生重大的影响。由于硅为间接带半导体材料，发光波长单一，效率低，一直无法在硅芯片上集成高效率的硅发光器件，这限制了硅材料在各种光电子领域的应用。近年来，由...; 孙甲明

ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究: 1993年; 用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响.发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能.在此基础上首次采用新工艺在3×3mm^2面积上把GaAs衬底金部腐蚀掉,剩下均匀、光滑的ZnSe-ZnS超晶格层,在其上做出了300×300μm^2的列阵,为在ZnSe-ZnS超晶格上实现光学双稳的集成化提供了必要条件.; 张吉英孙甲明范希武姜锦秀陈连春; 关键词：超晶格吸收谱