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孙鹤

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：国防科学技术大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇非易失性
  • 5篇存储阵列
  • 4篇电阻
  • 4篇电阻开关
  • 4篇容错
  • 4篇容错能力
  • 3篇电流
  • 3篇电压极
  • 3篇电压极性
  • 3篇工作电流
  • 2篇单电子晶体管
  • 2篇电路
  • 2篇电路组成
  • 2篇电压比较器
  • 2篇读操作
  • 2篇读出
  • 2篇氧化率
  • 2篇有序介孔
  • 2篇栅极
  • 2篇量子

机构

  • 9篇国防科学技术...

作者

  • 9篇孙鹤
  • 8篇池雅庆
  • 8篇方粮
  • 8篇张超
  • 6篇仲海钦
  • 4篇隋兵才
  • 4篇朱玄
  • 2篇励楠
  • 2篇马卓
  • 2篇张学骜
  • 2篇杨学军
  • 2篇贾红辉
  • 2篇周海亮
  • 2篇刘刚
  • 2篇段志奎
  • 2篇王正明
  • 2篇常胜利
  • 2篇唐玉华

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种非易失性存储阵列及其制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列及其制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。非易失性存储阵列由上电极、存储介质层、下电极组成，存储介质层位于下电极与上电极之间；上电极和下电极均为线状且呈十字交叉...
方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法，解决目前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序和量子点隔离性能差的问题。技术方案是基于有序介孔的单电子晶体管由衬底、源极、漏极、栅极、有序介孔层和绝缘层组成，有...
池雅庆张学骜仲海钦方粮常胜利贾红辉隋兵才周海亮孙鹤张超杨学军王正明唐玉华
文献传递
基于钛氧化物的纳米存储阵列制备和机理研究
目前,占据主要市场份额的非易失性存储器是电容电荷型的FLASH存储器。随着微电子工艺的发展,存储单元的尺寸逐渐变小,存储阵列的集成密度也不断提高。而FLASH存储单元的尺寸减小到纳米量级后,其性能急剧降低,功耗急剧上升。...
孙鹤
关键词：非易失性存储器双稳态氧空位
文献传递网络资源链接
一种非易失性存储阵列
本发明公开了一种非易失性存储阵列，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。非易失性存储阵列由上电极、存储介质层、下电极组成，存储介质层位于下电极与上电极之间；上电极和下电极均为线状且呈十字交叉状，交叉处为...
方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
文献传递
一种阻变存储单元读出放大电路
本发明公开了一种阻变存储单元读出放大电路，目的是提供一种新型阻变存储单元读出放大电路，降低干扰电流对读操作的影响，降低整体直流功耗，提高参考电压产生电路的精确性。本发明由比较读出级和参考电压产生电路组成，比较读出级由N个...
方粮刘刚励楠隋兵才张超池雅庆马卓段志奎孙鹤
一种阻变存储单元读出放大电路
本发明公开了一种阻变存储单元读出放大电路，目的是提供一种新型阻变存储单元读出放大电路，降低干扰电流对读操作的影响，降低整体直流功耗，提高参考电压产生电路的精确性。本发明由比较读出级和参考电压产生电路组成，比较读出级由N个...
方粮刘刚励楠隋兵才张超池雅庆马卓段志奎孙鹤
文献传递
一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法，解决目前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序和量子点隔离性能差的问题。技术方案是基于有序介孔的单电子晶体管由衬底、源极、漏极、栅极、有序介孔层和绝缘层组成，有...
池雅庆张学骜仲海钦方粮常胜利贾红辉隋兵才周海亮孙鹤张超杨学军王正明唐玉华
文献传递
一种非易失性存储阵列制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。技术方案是先制备下电极，接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层，再制备上电极，最后配置电阻开关单元的电压极性。本...
方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
文献传递
一种非易失性存储阵列制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。技术方案是先制备下电极，接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层，再制备上电极，最后配置电阻开关单元的电压极性。本...
方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
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