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孙鹤
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9
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供职机构:
国防科学技术大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
张超
国防科学技术大学
方粮
国防科学技术大学
池雅庆
国防科学技术大学
仲海钦
国防科学技术大学
朱玄
国防科学技术大学
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自动化与计算...
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电子电信
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非易失性
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作者
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孙鹤
8篇
池雅庆
8篇
方粮
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张超
6篇
仲海钦
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隋兵才
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朱玄
2篇
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张学骜
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年份
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2013
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2012
3篇
2011
2篇
2010
1篇
2009
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一种非易失性存储阵列及其制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列及其制备方法,目的是使得存储阵列开关电阻比高,制备工艺简单,性价比高。非易失性存储阵列由上电极、存储介质层、下电极组成,存储介质层位于下电极与上电极之间;上电极和下电极均为线状且呈十字交叉...
方粮
孙鹤
池雅庆
朱玄
仲海钦
张超
一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法,解决目前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序和量子点隔离性能差的问题。技术方案是基于有序介孔的单电子晶体管由衬底、源极、漏极、栅极、有序介孔层和绝缘层组成,有...
池雅庆
张学骜
仲海钦
方粮
常胜利
贾红辉
隋兵才
周海亮
孙鹤
张超
杨学军
王正明
唐玉华
文献传递
基于钛氧化物的纳米存储阵列制备和机理研究
目前,占据主要市场份额的非易失性存储器是电容电荷型的FLASH存储器。随着微电子工艺的发展,存储单元的尺寸逐渐变小,存储阵列的集成密度也不断提高。而FLASH存储单元的尺寸减小到纳米量级后,其性能急剧降低,功耗急剧上升。...
孙鹤
关键词:
非易失性存储器
双稳态
氧空位
文献传递
网络资源链接
一种非易失性存储阵列
本发明公开了一种非易失性存储阵列,目的是使得存储阵列开关电阻比高,制备工艺简单,性价比高。非易失性存储阵列由上电极、存储介质层、下电极组成,存储介质层位于下电极与上电极之间;上电极和下电极均为线状且呈十字交叉状,交叉处为...
方粮
孙鹤
池雅庆
朱玄
仲海钦
张超
文献传递
一种阻变存储单元读出放大电路
本发明公开了一种阻变存储单元读出放大电路,目的是提供一种新型阻变存储单元读出放大电路,降低干扰电流对读操作的影响,降低整体直流功耗,提高参考电压产生电路的精确性。本发明由比较读出级和参考电压产生电路组成,比较读出级由N个...
方粮
刘刚
励楠
隋兵才
张超
池雅庆
马卓
段志奎
孙鹤
一种阻变存储单元读出放大电路
本发明公开了一种阻变存储单元读出放大电路,目的是提供一种新型阻变存储单元读出放大电路,降低干扰电流对读操作的影响,降低整体直流功耗,提高参考电压产生电路的精确性。本发明由比较读出级和参考电压产生电路组成,比较读出级由N个...
方粮
刘刚
励楠
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马卓
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一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法
本发明公开了一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法,解决目前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序和量子点隔离性能差的问题。技术方案是基于有序介孔的单电子晶体管由衬底、源极、漏极、栅极、有序介孔层和绝缘层组成,有...
池雅庆
张学骜
仲海钦
方粮
常胜利
贾红辉
隋兵才
周海亮
孙鹤
张超
杨学军
王正明
唐玉华
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一种非易失性存储阵列制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法,目的是使得存储阵列开关电阻比高,制备工艺简单,性价比高。技术方案是先制备下电极,接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层,再制备上电极,最后配置电阻开关单元的电压极性。本...
方粮
孙鹤
池雅庆
朱玄
仲海钦
张超
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一种非易失性存储阵列制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法,目的是使得存储阵列开关电阻比高,制备工艺简单,性价比高。技术方案是先制备下电极,接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层,再制备上电极,最后配置电阻开关单元的电压极性。本...
方粮
孙鹤
池雅庆
朱玄
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