廖志君
- 作品数：52 被引量：61H指数：5
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金霍英东青年教师基金国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程核科学技术更多>>
- 一种碳化硼空心微球的制备方法
- 本发明所述碳化硼空心微球的制备方法：(1)制备固相含量为40～50％的碳化硼浆料；(2)将步骤(1)所得碳化硼浆料注入孔板上设置的圆形通孔，使圆形通孔被碳化硼浆料填充形成碳化硼浆料层；将超声清洗后的钼球以自由落体的方式穿...
- 廖志君陈睿翀苏琳施奇武卢铁城
- 文献传递
- 相变光透射特性具有窗口结构的VO_2薄膜被引量：3
- 2002年
- 利用无机溶胶凝胶法制备出具有优良热致相变光学特性的ＶＯ２薄膜，通过改变制备过程中的条件，发现在一定的制备参数下，可得到光透射特性具有窗口形状的热致相变薄膜，该类薄膜相变前后在６００～８５０ｎｍ范围出现显著透光度窗口状变化现象。利用ＸＲＤ、ＸＰＳ对相变光学特性具有窗口结构的薄膜和具有典型相变特性的薄膜进行对比分析，结果显示利用无机溶胶－凝胶法得到的薄膜表面没有衬底离子出现，衬底扩散离子主要存在于薄膜和衬底界面之间。通过对引起相变过程中光透射窗口状变化的原因进行讨论，得到薄膜在相变过程中出现透射光谱窗口状的变化是来源于Ｖ３＋和衬底扩散离子Ｎａ＋的共同作用。
- 卢勇林理彬廖志君何捷
- 关键词：光学性质光学材料二氧化钒薄膜
- 反应烧结法合成ALON粉体的研究被引量：1
- 2007年
- 采用微米级Al粉和纳米级Al2O3粉为原料,在N2气氛保护下球磨,并在流动N2中煅烧,尝试了纯相ALON粉体的合成。通过改变合成温度和保温时间等工艺参数,使原料反应充分,并通过适当改变原料中Al的含量,以控制合成试样中过量AlN的产生。同时对合成的粉体用XRD进行物相的定性分析,研究了温度、保温时间和原料配比等参数对合成纯相粉体物相的影响,并用TEM对粉体微观形貌进行观察。结果表明,将原料中Al粉的质量比调整为10%后,在1800℃煅烧3h的条件下,可以得到纯相的ALON粉体。
- 周纪承廖志君齐建起庞微程子萌伍登学卢铁城
- 关键词：尖晶石氮氧化铝
- 一种高球形度氚增殖剂纳米结构钛酸锂陶瓷小球及其制备方法
- 本发明公开了一种高球形度氚增殖剂纳米结构钛酸锂陶瓷小球及其制备方法，采用高分子分散剂(鱼油、聚丙烯酸或聚乙二醇‑400)和去离子水组成的预混液和前驱体粉体配制成流动性较好的浆料，得到的浆料进一步通过湿法成型和高温烧结获得...
- 卢铁城王海亮杨茂施奇武齐建起廖志君
- 文献传递
- 粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷被引量：4
- 2000年
- 作者对AlGaAs/GaAs结构调制掺杂材料及多量子阱材料 ,分别使用电子束或质子束辐照 电子束辐照能量为 0 .4～ 1.8MeV ,辐照注量为 1× 10 13cm- 2 ～ 1× 10 16 cm- 2 ,质子束辐照能量为 2 0～ 130keV ,辐照注量为 1× 10 11cm- 2 ～ 1× 10 14 cm- 2 .辐照前后的样品均经过深能级瞬态谱 (DLTS)的测试 .测试结果表明 ,电子束辐照引入了新缺陷 ,其能级位置为E3=Ec-0 .6 5eV ,而质子辐照引入的深缺陷能级为E1=Ec- 0 .2 2eV ,电子和质子束辐照同时对与掺Si有关的原生缺陷DX中心E2 =Ec- 0 .4 0eV也有影响 ,即浓度发生改变 ,峰形亦不对称 ,说明其中包含有其他邻近缺陷的贡献 .DLTS测试给出了这些深中心的浓度及俘获截面等参数 .
- 廖志君林理彬黄万霞孔梅影
- 关键词：量子阱材料电子辐照质子辐照能级
- 固相反应法制备ALON陶瓷粉体的研究被引量：12
- 2007年
- 采用微米级和纳米级的AlN粉体分别与纳米级Al2O3粉体组成不同原料体系,经球磨混合、干燥、高温焙烧、研磨过筛和再球磨等工艺步骤,尝试了纯相ALON陶瓷粉体的制备,并通过改变原料配比和焙烧工艺,借助XRD等分析,研究了原料粒度和配比、焙烧工艺以及纳米AlN在高温下氮气气氛中的氧化对制备粉体物相组成的影响,并在采用适当的原料配比和焙烧工艺下,制备得纯相ALON陶瓷粉体,并对其球磨前后的粒度分布、分散性以及表面活性进行了测试分析。
- 齐建起周纪承庞微何俊峰苏媛媛廖志君伍登学卢铁城
- 关键词：固相反应法
- 电子束蒸发制备碳化硼球面涂层的表面氧化研究
- 2013年
- 利用电子束蒸发技术沉积制备了碳化硼微球涂层,将微球涂层依次经退火和稀硫酸腐蚀处理后得到碳化硼空心微球,并借助XRD和SEM对碳化硼微球涂层的表面氧化问题进行了研究.XRD结果显示当衬底温度在120℃附近时,碳化硼涂层部分被晶化;对退火前后和酸腐蚀后的微球涂层进行SEM分析,结果表明,退火前的涂层表面部分被氧化成B2O3,退火后B2O3覆盖在涂层表面,酸腐蚀可以去掉B2O3,得到表面光洁的碳化硼空心微球.
- 林涛卢铁城于小河苏明甫马奔原廖志君
- 关键词：电子束蒸发显微结构
- 碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析
- 本文讨论了运用电子束蒸发制备碳化硼薄膜,碳化硼薄膜的制备方法有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）方法。并通过X-射线衍射（XRD）研究了碳化硼薄膜的结构,衬底温度在400℃以上能制备出晶
- 杨水长廖志君刘振良范强伍登学
- 文献传递
- TiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质及其栅介质制备方法
- 本发明涉及一种MOS结构的栅介质TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，属于半导体器件制作领域。该方法是利用TiO<Sub>2</Sub>代替传统SiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质，采用电子束蒸...
- 刘成士赵利利伍登学廖志君范强王自磊胡又文
- 文献传递
- 1.3μmInGaAsP半导体激光器的电子辐照效应被引量：3
- 2001年
- 1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4～ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ～ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。
- 林理彬廖志君祖小涛王浙辉
- 关键词：INGAASP半导体激光器
