刘成士
- 作品数：13 被引量：7H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- TiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质及其栅介质制备方法
- 本发明涉及一种MOS结构的栅介质TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，属于半导体器件制作领域。该方法是利用TiO<Sub>2</Sub>代替传统SiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质，采用电子束蒸...
- 刘成士赵利利伍登学廖志君范强王自磊胡又文
- 文献传递
- 染料敏化太阳能电池阻挡层的制备及其性能研究被引量：6
- 2011年
- 采用电子束蒸发法在光阳极导电玻璃基底上制备了一层致密的TiO2薄膜,并在氧氛围下进行不同温度的退火处理。以此TiO2薄膜为阻挡层来阻止电解质溶液中I3-与导电玻璃基底上光生电子的复合。分别利用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对此薄膜的结构和成分进行表征。制备不同厚度的TiO2阻挡层薄膜并研究其对电池光电性能的影响。实验结果表明,阻挡层的引入有效地抑制了暗反应的发生,提高了染料敏化太阳能电池(DSSC)的开路电压、短路电流和光电转换效率,比未引入阻挡层的DSSC的光电转换效率提高了31.5%。
- 陶勇廖志君伍登学王自磊李健戴建洪刘成士
- 关键词：染料敏化太阳能电池电子束蒸发TIO2阻挡层
- Si衬底上沉积TiO2薄膜结构及成分分析
- 在这里我们采用电子束蒸发沉积的方法制备Ti O薄膜,并利用XRD和傅立叶红外吸收谱等方法研究其不同工艺下薄膜的结构和成分。通过XRD分析发现,衬底保持在常温,在适当的束流下会出现杂晶,甚至
- 刘成士伍登学赵利利廖志君
- 文献传递
- TiO_2薄膜成分和结构分析及其对折射率的影响
- 2009年
- 在硅衬底上利用电子束蒸发沉积了TiO2薄膜,利用椭圆偏振仪测量了不同沉积温度下的TiO2薄膜的折射率,发现其折射率随着沉积温度的升高而升高。利用X射线衍射(XRD)仪对这些薄膜的结构进行表征,发现折射率高的样品其结晶化程度也高。利用X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶红外吸收谱(FT-IR)相结合的方法对薄膜的成分进行分析,发现内部存在低价态的钛氧化物,使薄膜的折射率明显低于固体块材料的折射率。
- 刘成士伍登学赵利利廖志君卢铁城
- 关键词：TIO2薄膜折射率电子束蒸发
- TiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质及其栅介质制备方法
- 本发明涉及一种MOS结构的栅介质TiO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，属于半导体器件制作领域。该方法是利用TiO<Sub>2</Sub>代替传统SiO<Sub>2</Sub>作为MOS结构的栅介质，采用电子束蒸...
- 刘成士赵利利伍登学廖志君范强王自磊胡又文
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- 利用电子束蒸发制备高K介质TiO_2薄膜被引量：1
- 2011年
- 利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO_2薄膜,利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率;利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO_2薄膜的电容特性的影响,发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO_2薄膜的CV曲线特性;最后利用XPS(X射线能谱)和FI—IR(傅立叶红外吸收)相结合的方法对TiO_2薄膜的成分进行了分析,发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层,其成分是低价态的TiO_x(x<2)和SiO_y(y<2).
- 刘成士伍登学赵利利廖志君
- 关键词：TIO2薄膜电子束蒸发
- 电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法与装置
- 一种电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的微球形衬底放到三维沉积装置的筛网反弹盘里，使微球形衬底位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度...
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- 电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法
- 一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于6.0×1...
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- 电子束蒸发制备二氧化钛薄膜的过渡层性质分析
- 本文利用透射电子显微镜、X射线光电子能谱、红外吸收光谱和椭圆偏振仪等现代测试手段研究了基片温度、沉积速率、真空度等因素的改变对Ti O2薄膜和过渡层的成份、结构和折射率的影响规律,并建立
- 赵利利伍登学刘成士廖志君
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- 电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法与装置
- 一种电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的微球形衬底放到三维沉积装置的筛网反弹盘里，使微球形衬底位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度...
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