徐俊平
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
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- 4H-SiC MESFET结构与直流特性研究被引量：1
- 2008年
- 运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。
- 徐俊平杨银堂贾护军张娟
- 关键词：埋栅
- 6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析
- 2008年
- 采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性。结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右。对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件。此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大。
- 张娟柴常春杨银堂徐俊平
- 关键词：4H-碳化硅
- 4H-SiC MESFET结构设计与特性模拟
- 近年来，SiC功率半导体器件因其具有极好的电特性和物理性质而成为半导体界争先研究的热点项目之一。论文对目前SiC的多型体中综合性能最好的4H-SiC材料的MESFET器件进行了研究。
论文分析了SiC材料的优点...
- 徐俊平
- 关键词：MESFET器件碳化硅材料
- 文献传递
- 几种SiC刻蚀方法的刻蚀速率
- 在简单介绍了刻蚀SiC的几种方法的基础上重点讨论PE技术,RIE技术,ECR技术,ICP技术中对于SiC刺蚀速率的影响因素。通过前人所做的实验得出,刻蚀速率的影响因素主要是产生等离子体的刻蚀气体,通入的气体组分比,气体流...
- 徐俊平杨银堂贾护军
- 关键词：碳化硅刻蚀速率
- 文献传递
- SiC VDMoS特性的影响因素分析被引量：1
- 2008年
- 研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds=0.1 V、Vgs=15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大,随沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小,随沟道长度的增加而减小。
- 张娟柴常春杨银堂徐俊平
- 关键词：SICVDMOS栅氧化层沟道长度
- 基于温度补偿的1V CMOS电流基准源被引量：1
- 2008年
- 利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源。使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点。在1V工作电压,TSMC0.25μmCMOS工艺下,用Cadence Spectre仿真,在-20～120℃的温度内,输出电流为19.06μA,温度系数仅为18.7×10^-6,功耗为53.5μW。
- 朱冬勇杨银堂朱樟明朱文举徐俊平
- 关键词：零温度系数温度补偿超低压电流基准
