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徐发强

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 3篇磁性
  • 2篇砷化镓
  • 2篇磁性薄膜
  • 2篇GAAS
  • 1篇单色器
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇电子态
  • 1篇钝化
  • 1篇多层膜
  • 1篇束线
  • 1篇子结构
  • 1篇控制软件
  • 1篇计算机控制
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇光束
  • 1篇光束线
  • 1篇NSRL
  • 1篇CO

机构

  • 4篇中国科学技术...
  • 2篇中国人民解放...

作者

  • 4篇徐发强
  • 3篇徐彭寿
  • 2篇潘海斌
  • 2篇祝传刚
  • 2篇陆尔东
  • 1篇丁义峰
  • 1篇梁任又
  • 1篇李伟刚
  • 1篇张发培
  • 1篇孙玉明
  • 1篇张新夷
  • 1篇王秋平
  • 1篇余小江
  • 1篇朱警生
  • 1篇郭红志

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇科技导报
  • 1篇核技术
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2001
  • 1篇1998
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Fe/GaAs(100)界面构成和电子态的同步辐射研究被引量:1
2001年
利用同步辐射光电子能谱技术详细研究了Fe/GaAs(10 0 )的界面反应和电子结构。在界面处 ,Fe与As形成稳定的化学键 ,而Ga则溶解到Fe薄膜中形成合金 ,但反应只能在界面处发生 ,形成窄的反应层。Fe沉积后改变了GaAs表面的电子结构 ,重新钉扎了费米能级位置 ,引起费米能级向价带顶移动 0 2 7eV。另外 ,Fe的生长模式在沉积过程中发生改变 ,而且存在As和Ga的扩散现象 ,同步辐射价带谱也证实了这一点。
祝传刚徐彭寿李伟刚郭红志陆尔东徐发强潘海斌
关键词:光电子能谱磁性薄膜砷化镓电子结构
NSRL可变包含角光栅单色器的计算机控制被引量:1
2001年
随着同步辐射光束线技术的发展,单色器的分辨率越来越高,采用的复杂机构要求极高的 机械转动和直线运动精度,对光束线控制软件的性能提出了新的要求。另一方面,同步辐射实验 室新建光束线的数量逐渐增多,对控制软件设计的压力增大,希望有一种可移植的、标准化的控 制软件。变包含角球面光栅单色器使用分层控制技术,层之间用以太网联接。底层是硬件抽象 层,直接处理与所有硬件有关的操作;上层为高级用户界面层,提供用户控制的指令,可以满足不 同用户端软件的需求。同时还介绍了一种变包含角光栅单色器的数值解法。
余小江王秋平徐发强潘海斌徐彭寿
关键词:单色器控制软件计算机控制光束线
Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜磁性质的研究被引量:3
1998年
利用同步辐射光电发射和铁磁共振(FMR)研究了Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜的磁性质.结果表明,在低覆盖度(约为02nm)下,Co吸附原子与衬底发生强烈的界面反应,在覆盖度为09nm时,形成稳定的界面.从衬底扩散出的Ga原子与Co覆盖层合金化,而部分As原子与Co原子发生反应,形成稳定的键合,这些反应产物都停留在界面处很窄的区域(03—04nm)内.另一部分As原子偏析在Co覆盖层表面.结合理论模型,详细地讨论了界面结构及Ga,As原子的深度分布.FMR结果表明,生长的Co超薄膜具有较好的单晶特性和化学均一性.
张发培徐彭寿徐发强陆尔东孙玉明张新夷朱警生梁任又
关键词:多层膜超薄膜磁性质
磁集成器件界面扩散及钝化影响
2013年
为了解决铁与砷化镓界面形成过程中,存在砷原子向金属层中扩散的现象,导致界面磁性减弱影响该结构的物理性能问题,采用钝化工艺改善界面磁性的方法,利用电子能谱技术测量了界面形成过程中铁与砷化镓界面的价带谱和砷原子的3d芯能级谱,从电子能谱的角度得到了砷原子扩散的相关数据。通过对比清洁界面和钝化界面的实验结果,证明了钝化可以减弱砷原子的界面扩散,铁原子3d能级的磁性交换劈裂也得到加强,价带峰被展宽,界面的磁性得到改善。依据价带谱的展宽现象和相关的研究报导表明:将硫钝化界面技术应用于磁集成器件制造工艺是有益的。
祝传刚丁义峰徐发强
关键词:钝化磁性薄膜
共1页<1>
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