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徐红钢

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇砷化镓
  • 2篇P
  • 1篇异质结场效应...
  • 1篇异质结场效应...
  • 1篇异质结界面
  • 1篇自掺杂
  • 1篇晶体管
  • 1篇高阻
  • 1篇硅外延
  • 1篇厚层
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇GA
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇掺杂
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇N

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇徐红钢
  • 2篇陈效建
  • 2篇高建峰
  • 1篇陆春一
  • 1篇郝西萍
  • 1篇王向武
  • 1篇马利行

传媒

  • 3篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
2001年
提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss=6 1m A/ mm,跨导 gm=4 1m S/ mm;77K下 ,饱和电流 Idss=94 m A/ mm,跨导 gm=6 1m S/ mm。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益 ,因而具有良好的应用潜力。
徐红钢陈效建高建峰郝西萍
N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料
1997年
研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。
王向武马利行徐红钢陆春一
关键词：硅外延高阻厚层自掺杂
InGaP/GaAs异质结价带不连续性的直接测量被引量：1
1999年
用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｓ９００Ａ 型半导体自动参数测试仪测量了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结样品的界面ＣＶ的分布。用多项式逐段拟合的方法，转化得到界面浓度的分布，最后计算得到该体系的价带不连续性ΔＥｖ 为３１６ ｍ ｅＶ，约相当于０．６９
徐红钢陈效建高建峰
关键词：砷化镓异质结界面半导体材料
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