文瑜
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：苏州市国际科技合作项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 1eV带隙GaNAs/InGaAs短周期超晶格太阳能电池的设计被引量：2
- 2013年
- 使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态.
- 王海啸郑新和文瑜吴渊渊甘兴源王乃明杨辉
- 关键词：太阳能电池
- 高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为被引量：5
- 2013年
- 采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.
- 吴渊渊郑新和王海啸甘兴源文瑜王乃明王建峰杨辉
- 关键词：晶体质量
