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DC～20GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器被引量：4: 2013年; 采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度等特点。电路采用+8 V电源供电,将芯片及外围器件进行模块化封装后,易于测试和使用。经过实测,带内的典型噪声系数为3 dB,小信号增益达到14 dB,输入回波损耗低于-14 dB,输出回波损耗低于-17 dB,1 dB增益压缩输出功率达到16 dBm。芯片尺寸为3.12 mm×1.574 mm。; 朱思成田国平白元亮张晓鹏陈兴; 关键词：低噪声放大器分布式放大器共源共栅

一种实用的TTL-ECL电平转换集成电路: TTL-ECL电平转换集成电路是将输入的TTL电平信号转换成ECL电平输出信号的器件.国外多家公司均生产该器件,如MOTOROLA、MAREL、NATIONALSEMICONDUCTOR等公司,分为10K和100K两种系...; 田国平王俊华朱思成; 关键词：GAAS MESFET 电平转换离子注入集成电路; 文献传递

一种实现超宽带GaN毫米波放大器的设计: 本文基于0.15μm GaN HEMT工艺制作了一款毫米波超宽带放大器。该放大器采用两级级联放大结构,提高电路增益;每级采用分布式结构,显著拓展工作带宽。经过测试放大器在18GHz～40GHz频率范围内增益达到10dB以...; 刘会东朱宝石朱思成魏洪涛; 关键词：宽带毫米波放大器氮化镓

超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计被引量：2: 2018年; 针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器（10 ps步进TTD）、5位数控衰减器（1 d B步进ATT）、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3~17 GHz频段内实现了10~310 ps延时范围,1~31 d B衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 d B,发射1 d B压缩输出功率P1 d B_Tx大于12 d Bm,接收1 d B压缩输出功率P1 d B_Rx大于10 d Bm,全态输入输出驻波均小于1.7,＋5 V下工作电流130 m A,-5 V下工作电流12 m A。衰减器全态RMS精度小于1.4 d B,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1d B。; 陈月盈朱思成赵子润; 关键词：超宽带多功能芯片数控衰减器

7～13.5GHz单片低噪声放大器设计被引量：5: 2013年; 采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款7～13.5 GHz宽带低噪声放大器单片集成电路。该单片集成电路可用于点对点、点对多点通信以及测试仪器和测试系统中。电路采用两级级联的放大结构,每级采用自偏压技术实现单电源供电。电路中增加并联负反馈结构,以提高增益平坦度。电路输出后端增加阻性电路,提高部分频段的稳定性,在全频段上满足无条件稳定的条件。在频率为7～13.5 GHz范围内,外加工作电压3 V,对低噪声放大器芯片进行了在片测试,测试结果表明,在带内放大器的噪声系数小于1.6 dB,小信号增益大于17 dB,输入回波损耗低于-12 dB,输出回波损耗低于-15 dB;低噪声放大器芯片面积为2.15 mm×1.15 mm。; 朱思成默立冬; 关键词：电子迁移率低噪声放大器噪声系数回波损耗

砷化镓8Bit ADC电路的抗辐射设计和辐照试验研究: 2011年; 砷化镓模数转换器(ADC)具有良好的电性能和耐辐照能力,广泛应用于各种领域,尤其是航空航天领域.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,在前期对电路进行辐照试验基础上,针对电路设计和工艺制造进行大规模集成电路的抗辐射研究,改进电路的设计和工艺制造技术,提高电路的抗辐射能力.本文主要对该电路的设计、工艺研究和γ总剂量辐照试验进行描述,试验结果表明该模数转换器能够抗100K rad(Si)总剂量的辐照.; 田国平王丽朱思成; 关键词：砷化镓模数转换抗辐射总剂量

砷化镓集成电路辐照试验研究: 砷化镓集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各种领域,尤其是航天航空方面.但电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,我所在对对单管器件进行了辐照试验,获得可靠的试验结果,改进电路的制作方法,提高电路的抗辐射能力的...; 田国平王文君朱思成白元亮; 关键词：砷化镓集成电路; 文献传递

GaAs 10 bit DAC的抗辐射设计和实验被引量：1: 2012年; 通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验。在电路设计上,10 bit DAC由两个5 bit DAC组成,通过芯片内部合成10 bit DAC,有效降低了芯片面积和制造工艺难度;通过分析电路的电离辐射剂量率辐射效应,针对敏感电路进行局部电路的抗辐射设计,提高电路抗辐射能力;结合实验条件和器件引线分布,设计合理的辐照实验方案,开发辐照实验电路板,进行辐照实验,获得科学的实验结果,验证电路的抗辐射能力。实验结果表明该数模转换器能够抗3×1011rad(Si)/s剂量率的瞬时辐照。; 田国平吴洪江朱思成; 关键词：砷化镓数模转换器抗辐射

2～20GHz分布式单片放大器设计: 2012年; 介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的噪声系数。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。后期电路在中国电子科技集团公司第十三研究所砷化镓工艺线上加工完成。电路性能指标:在2～20 GHz工作频率范围内,小信号增益>13.5 dB;输入输出回波损耗<-9 dB;噪声系数<4.0 dB;P-1>13 dBm。放大器的工作电压5 V,功耗400 mW,芯片面积为3.00 mm×1.6 mm。; 陈兴朱思成高学邦; 关键词：分布式放大器单片电路 GAAS PHEMT 低噪声

一款毫米波超宽带GaN MMIC低噪声放大器被引量：2: 2020年; 基于0.15μm GaN HEMT工艺,设计并实现了一款超宽带毫米波GaN低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该放大器采用4级级联结构,其输入和输出端均采用5阶匹配网络,提高了放大器的匹配带宽;由微带线、短截线和电容组成的无电阻输入匹配网络减小了输入热噪声,优化了电路的噪声系数;在级间匹配网络中引入电阻元件,通过降低Q值扩展电路工作带宽。采用SiC衬底0.15μm AlGaN/GaN HEMT工艺进行流片,在片测试结果表明,在频率14~34 GHz时,该LNA的增益为(18±1)dB、噪声系数小于4.5 dB,在频率为39 GHz时1 dB压缩点输出功率为19 dBm,最大输入承受功率为30 dBm,相对工作带宽大于100%。研制的MMIC LNA面积为1.71 mm^2,功耗为1.05 W。; 刘会东朱宝石朱思成魏洪涛

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朱思成