陈兴
- 作品数：9 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 1.5GHz CMOS ECL输入接口的设计与测试被引量：1
- 2005年
- 对一种高速CMOS ECL输入接口进行了分析研究,该接口包含一种双镜补偿的CMOS差分放大电路,采用0.18μm CMOS工艺研制,实现了PECL电平兼容。经测试,该接口最高工作频率达1.5GHz。
- 廖斌任怀龙吴洪江陈兴
- 关键词：差分放大电路CMOS工艺
- 老化测试工装
- 本发明提供了一种老化测试工装，属于电子产品测试技术领域，包括底板组件、承托座、第一插拔组件、第二插拔组件以及压板组件；承托座固设于底板组件上，用于支撑被测器件；第一插拔组件固设于底板组件上，第一插拔组件位于被测器件的多通...
- 赵鑫燚梁勃陈兴许春良马晓亮
- 多收发通道芯片在片测试系统及方法
- 本发明提供一种多收发通道芯片在片测试系统及方法。该测试系统包括：第一多头射频探针、第二多头射频探针、微波开关、测量仪器和工控机；第一多头射频探针的各个探针头用于连接目标芯片一侧对应的各个射频信号端口，第二多头射频探针的各...
- 樊渝许春良陈兴李梦琪刘志军静亚薇田景旺
- 文献传递
- DC～20GHz GaAs PHEMT超宽带低噪声放大器被引量：4
- 2013年
- 采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测量系统中。电路采用分布式放大器结构,单节采用共源共栅的结构形式实现,其与共源结构相比,拥有较低的栅-漏反馈电容和较高的输出并联电阻,使电路具有较宽的频带、较高的增益和较高的线性度等特点。电路采用+8 V电源供电,将芯片及外围器件进行模块化封装后,易于测试和使用。经过实测,带内的典型噪声系数为3 dB,小信号增益达到14 dB,输入回波损耗低于-14 dB,输出回波损耗低于-17 dB,1 dB增益压缩输出功率达到16 dBm。芯片尺寸为3.12 mm×1.574 mm。
- 朱思成田国平白元亮张晓鹏陈兴
- 关键词：低噪声放大器分布式放大器共源共栅
- 频率测量单片集成电路的研究被引量：1
- 2008年
- 介绍了等精度测频的基本原理，以此为基础，设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0．18μm CMOS标准工艺线上完成了制作，封装于CQFP48中。经测试，测频范围可达40～1500MHz，测频误差小于0．8MHz，功耗小于100mw。
- 任怀龙陈兴默立冬廖斌吴洪江
- 关键词：频率测量低功耗单片电路
- 一种9端口微波多功能收发芯片在片测试技术
- 2022年
- 多功能芯片由单入单出单通道升级为多入多出多通道收发芯片,并大量应用于现代通信领域。针对多收发通道多功能芯片测试过程中,多次移动探针、重复压针、无法自动测量、测试效率低等不足,研究了多端口在片校准技术。通过去嵌入校准方法,将校准面移到探针尖端,实现了多端口微波探针在片精确校准。提出了一次压针测试多端口芯片各项参数的方法,利用定制的集成多端口共面探针,搭建了一次压针全通道测试系统,通过软件控制开关矩阵,完成多端口信号传输及数据采集,实现一次压针全通道测试。并与传统测试方法的测试数据进行对比分析,证明了该方法的可行性。
- 陈兴樊渝李梦琪
- 关键词：多功能芯片去嵌入S参数
- 一种基于硅基MEMS三维异构集成技术的T/R组件
- 2024年
- 基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段双通道T/R组件。该组件由两层硅基结构通过球栅阵列(BGA)植球堆叠而成,上下两层硅基封装均采用5层硅片通过硅通孔(TSV)、晶圆级键合工艺实现。组件集成了六位数控移相、六位数控衰减、串转并、电源调制、逻辑控制等功能,最终组件尺寸仅为15 mm×8 mm×3.8 mm。测试结果表明,在Ku波段内,该组件发射通道饱和输出功率大于24 dBm,单通道发射增益大于20 dB,接收通道增益大于20 dB,噪声系数小于3.0 dB。该组件性能好,质量轻,体积小,加工精确度高,组装效率高。
- 陈兴张超李晓林赵永志
- 关键词：微系统收发组件
- 5．8GHz CMOS混频器设计被引量：5
- 2008年
- 介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入1 dB压缩点-8.3 dBm,噪声系数8.7,工作电流小于5 mA,该电路已交付流片。
- 任怀龙默立冬吴思汉陈兴冯威廖斌吴洪江
- 关键词：CMOS混频器转换增益线性度
- 2～20GHz分布式单片放大器设计
- 2012年
- 介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的噪声系数。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。后期电路在中国电子科技集团公司第十三研究所砷化镓工艺线上加工完成。电路性能指标:在2～20 GHz工作频率范围内,小信号增益>13.5 dB;输入输出回波损耗<-9 dB;噪声系数<4.0 dB;P-1>13 dBm。放大器的工作电压5 V,功耗400 mW,芯片面积为3.00 mm×1.6 mm。
- 陈兴朱思成高学邦
- 关键词：分布式放大器单片电路GAASPHEMT低噪声
