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廖斌

作品数:12 被引量:16H指数:2
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家科技型中小企业技术创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 6篇专利

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 9篇电路
  • 6篇集成电路
  • 4篇集成电路器件
  • 2篇电路结构
  • 2篇性能稳定
  • 2篇树脂
  • 2篇树脂层
  • 2篇锁存
  • 2篇锁存器
  • 2篇联想
  • 2篇联想式
  • 2篇模糊查询
  • 2篇晶圆
  • 2篇晶圆级封装
  • 2篇快速存取
  • 2篇计数
  • 2篇焊盘
  • 2篇封装
  • 2篇比较器
  • 2篇CMOS

机构

  • 12篇中国电子科技...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国国防科技...

作者

  • 12篇廖斌
  • 9篇吴洪江
  • 3篇陈兴
  • 3篇任怀龙
  • 2篇默立冬
  • 2篇王绍东
  • 2篇王志强
  • 1篇肖军锋
  • 1篇吴思汉
  • 1篇刘玲
  • 1篇东熠
  • 1篇冯威
  • 1篇刘红侠
  • 1篇刘贵增
  • 1篇苑少娜
  • 1篇王子青

传媒

  • 5篇半导体技术
  • 1篇半导体情报

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2005
  • 2篇2003
  • 1篇1996
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
可编程计数比较器
本发明公开了一种可编程计数比较器,它涉及半导体器件领域中的用于可编程计数比较的集成器件。它由设定值锁存器、数字比较器、计数器、计数比较控制器等部件组成。它把计数器和比较器合二为一制作成一个集成器件,同时完成计数和数字比较...
吴洪江廖斌
文献传递
5.8GHz CMOS混频器设计被引量:5
2008年
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入1 dB压缩点-8.3 dBm,噪声系数8.7,工作电流小于5 mA,该电路已交付流片。
任怀龙默立冬吴思汉陈兴冯威廖斌吴洪江
关键词:CMOS混频器转换增益线性度
CMOS驱动器晶圆级封装
本实用新型公开了一种CMOS驱动器晶圆级封装,涉及在基片内或其上制造或处理的装置或系统技术领域。所述封装包括驱动器晶圆片,所述晶圆片的上表面部分区域形成有驱动器晶圆片焊盘,焊盘区域以外的晶圆片的上表面上形成有钝化层,钝化...
刘秀博王绍东廖斌王志强
文献传递
频率测量单片集成电路的研究被引量:1
2008年
介绍了等精度测频的基本原理,以此为基础,设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路。着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计。该电路芯片在0.18μm CMOS标准工艺线上完成了制作,封装于CQFP48中。经测试,测频范围可达40~1500MHz,测频误差小于0.8MHz,功耗小于100mw。
任怀龙陈兴默立冬廖斌吴洪江
关键词:频率测量低功耗单片电路
内容联想式存储器
本发明公开了一种内容联想式存储器,它涉及半导体器件领域中的集成电路器件。它由M行×N列的存储单元阵列、N列个掩码电路、M行个优先级电路、控制电路、预充电管列、读出放大电路、双向数据端口组成。本发明存储器所存内容相互关联,...
吴洪江廖斌
文献传递
1.5GHz CMOS ECL输入接口的设计与测试被引量:1
2005年
对一种高速CMOS ECL输入接口进行了分析研究,该接口包含一种双镜补偿的CMOS差分放大电路,采用0.18μm CMOS工艺研制,实现了PECL电平兼容。经测试,该接口最高工作频率达1.5GHz。
廖斌任怀龙吴洪江陈兴
关键词:差分放大电路CMOS工艺
CMOS驱动器晶圆级封装及其制作方法
本发明公开了一种CMOS驱动器晶圆级封装及其制作方法,涉及在基片内或其上制造或处理的装置或系统技术领域。所述封装包括驱动器晶圆片,所述晶圆片的上表面部分区域形成有驱动器晶圆片焊盘,所述焊盘区域以外的晶圆片的上表面上形成有...
刘秀博王绍东廖斌王志强
文献传递
一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现被引量:2
2016年
设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时提高了输入噪声容限,电平转换级、输出级对传统电路结构做了改进,转换速度更快,功耗更低。该电路采用标准硅基高压CMOS工艺制造流片,芯片测试结果表明,负电源工作电压为-5^-40 V,静态电流小于10μA,动态电流为5 m A@10 MHz,传输延时小于20 ns。芯片尺寸为1.42 mm×1.83 mm。该电路具有响应速度快、功耗低以及抗噪声能力强等特点,可广泛应用于微波通信系统中。
王子青廖斌
关键词:施密特电路电平转换死区时间
AlGaAs/GaAs HBT集成电路的CAD
1996年
介绍了一套用于AlGaAs/GaAsHBT集成电路的CAD软件,它可完成HBT的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对HBT运算放大器进行了模拟,为电路的研制提供了依据。
刘玲肖军锋吴洪江东熠刘贵增廖斌
关键词:ALGAAS砷化镓HBTCAD集成电路
可编程计数比较器
本发明公开了一种可编程计数比较器,它涉及半导体器件领域中的用于可编程计数比较的集成器件。它由设定值锁存器、数字比较器、计数器、计数比较控制器等部件组成。它把计数器和比较器合二为一制作成一个集成器件,同时完成计数和数字比较...
吴洪江廖斌
文献传递
共2页<12>
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