李家贵
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SOI LDMOS功率晶体管自加热分析
- SOI LDMOS功率晶体管中的自加热效应是沟道中电流产生的热量导致器件特性漂移的现象;其产生的机理主要是热传导率相对较低的埋氧层存在,导致产生的热量无法耗散。阐述了在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱...
- 李家贵李德昌
- 关键词：自加热效应工艺参数功率晶体管
- 文献传递
- SOILDMOS晶体管的自加热效应被引量：4
- 2009年
- 与常规体硅器件相比,SOI器件由于其独特的结构,常常会产生较严重的自加热效应,影响器件的可靠性。文中阐述SOILDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。研究证明采用新材料,结构可对同加热效应起到有效抑制作用提高了件的可靠性。
- 李家贵李德昌
- 关键词：SOI自加热效应
- SOI LDMOS功率晶体管自加热分析
- 阐述SOI LDMOS功率晶体管中的自加热现象,研究了自加热效应产生的机理,在不同的结构和工艺参数下自加热效应的研究进展,以及减弱自加热效应的方法。
- 李家贵李德昌
- 关键词：自加热效应功率晶体管工艺参数
- 文献传递
