李效白
- 作品数：20 被引量：56H指数：3
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- 半导体量子点最低导带态的量子限制效应被引量：1
- 2002年
- 采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。
- 朱允伦陈元翟菊婷李效白
- 关键词：半导体量子点量子限制效应
- Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT被引量：1
- 2007年
- 利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.
- 冯志宏尹甲运袁凤坡刘波梁栋默江辉张志国王勇冯震李效白杨克武蔡树军
- 关键词：SI衬底GANHEMT功率密度
- GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术被引量：1
- 2000年
- 综合了 Ga As和 In P基 HFET工艺中的选择腐蚀技术的有关报道 ,重点介绍了应用 ICP设备和气体组合 BCl3+ SF6 进行异质结材料组合的干法腐蚀实验 ,腐蚀后在显微镜和扫描电镜下观察窗口平整干净、作迁移率测试等与湿法腐蚀的片子相比较没有看出差别 ,适宜用于器件工艺。
- 李效白
- 关键词：GAASINPHFET
- 栅型共振隧穿晶体管的设计与研制被引量：1
- 2006年
- 在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.
- 郭维廉梁惠来宋瑞良张世林毛陆虹胡留长李建恒齐海涛冯震田国平商跃辉刘永强李亚丽袁明文李效白
- 等离子体微细加工技术的新进展被引量：24
- 2000年
- 在大规模集成电路制造中常用反应离子刻蚀 ,但对于加工 2 0 0mm以上直径的片子和 0 2 5 μm的线宽及孔洞 ,它的能力已达到极限。低压等离子刻蚀设备 (ECR ,ICP ,HWP)和高浓度等离子体可以解决这一问题。已经在整个片子上均匀地获得高的刻蚀速率。剖面控制精确 ,可改善图形的保真度。本文介绍了干法刻蚀技术的这一最新进展 ,阐述了电子回旋共振等离子体源、感应耦合等离子体源、螺旋波等离子体源的工作原理和干法刻蚀的关键技术问题。
- 李效白
- 关键词：等离子刻蚀干法刻蚀集成电路
- 硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究
- 2004年
- 硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素.对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平.
- 李晓光王同祥李效白杨瑞霞
- 关键词：硫钝化场效应晶体管
- AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)被引量：1
- 2009年
- 从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组分有密切关系。揭示了AlGaN/GaN HFET的2DEG电荷涨落受控于表面、界面和缓冲层中的各种缺陷及外加应力,表面空穴陷阱形成的虚栅对输入信号有旁路和延迟作用,它们导致高频及微波状态下的电流崩塌。指出由于构成电流崩塌因素的复杂性,各种不同的抑制电流崩塌方法都存在不足,因此实现该器件大功率密度和高可靠性还有很长的路要走。
- 李效白
- 关键词：异质结场效应管压电极化电流崩塌
- AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅱ)被引量：3
- 2009年
- 李效白
- 关键词：ALGAN/GAN电流崩塌HFET2DEGALGAN/GAN饱和电流漏电流
- SiC和GaN电子材料和器件的几个科学问题被引量：9
- 2004年
- 扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应和陷阱效应、SiC和GaN器件的特征工艺问题(离子注入、金属化等)以及温度升高时SiC载流子的冻析效应等。
- 李效白
- 关键词：宽禁带SICGAN半导体材料离子注入
- 氮化镓基固态器件的研究进展被引量：5
- 2001年
- ＧａＮ是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料，具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度。本文着重阐述了宽禁带Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的研究进展。
- 李效白
- 关键词：氮化镓固态器件半导体器件氮化镓
