李非
- 作品数：6 被引量：133H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信生物学天文地球更多>>
- 高浓度Mg掺杂GaN的电学和退火特性研究被引量：5
- 2001年
- 对高浓度Mg掺杂GaN在常规热退火和快速热退火前后的材料质量和电学特性进行了研究。X 射线衍射测量表明 ,重掺杂导致了GaN质量的下降 ,退火后略有恢复。霍尔测量表明 ,Cp2 Mg :TMGa的流量比小于 1:2 6.3时 ,退火后空穴浓度可达到 2× 10 18cm- 3;当Cp2 Mg :TM Ga的流量比为 1:2 1.9时 ,得到的高阻GaN在常规热退火和快速热退火后均只为弱 p型 ,存在明显的施主补偿现象。这被认为是重掺杂导致晶格缺陷增多 ,引入了施主能级 。
- 童玉珍李非杨志坚张国义
- 关键词：热退火氮化镓电学特性退火特性
- InGaN 合金的MOCVD 制备及其光学性质研究
- 李非
- 关键词：光致发光谱掺杂共掺杂热退火
- 快速退火Mg∶GaN的光致发光研究被引量：1
- 1999年
- 本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ 空位能级到Ｍｇ
- 毛祥军杨志坚金泗轩童玉珍王晶晶李非张国义
- 关键词：快速退火光致发光镁氮化镓
- InGaN合金的NOCVD制备及其光学性质研究
- 该论文对InGaN合金材料的MOCVD制备、掺杂和光学特性进行了研究.首次提出了高温生长具有高发泖效率的Si和Zn共掺杂InGaN合金的制备技术,已用于蓝光双异质结LED的有源层,取得了很好的结果.最后,对较高浓度Mg掺...
- 李非
- 关键词：MOCVD掺杂光学特性光致发光谱热退火
- Mg掺杂GaN光荧光的研究
- 杨志坚龙涛童玉珍李非张国义
- 甘肃葫芦河流域中全新世环境演化及其对人类活动的影响被引量：127
- 1996年
- 本文对甘肃葫芦河流域第一级阶地剖面的地层进行了观察，并对秦安大地湾附近第一级阶地沉积剖面的沉积相、粘土矿物、碳酸钙、孢粉等古环境指标进行了分析，据此初步恢复了该地区大约距今８０００年至３０００年左右的环境演变过程。并讨论了该地区古环境变化与古人类活动规模和古文化特征的变化之间的关系。
- 莫多闻李非李水城孔昭宸
- 关键词：中全新世环境演变古人类活动
