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童玉珍

作品数：79 被引量：171H指数：5
供职机构：北京大学物理学院更多>>
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相关领域：电子电信理学电气工程农业科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇期刊文章
  • 24篇专利
  • 10篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 36篇电子电信
  • 14篇理学
  • 5篇电气工程
  • 2篇农业科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 26篇发光
  • 16篇氮化镓
  • 16篇GAN
  • 13篇二极管
  • 13篇发光二极管
  • 10篇光谱
  • 10篇MOCVD生...
  • 7篇白光
  • 7篇半导体
  • 7篇MOCVD
  • 7篇INGAN
  • 6篇单晶
  • 6篇光强
  • 6篇光学
  • 5篇单晶薄膜
  • 5篇应力
  • 5篇节律
  • 5篇金属有机物
  • 5篇INGAN薄...
  • 5篇衬底

机构

  • 78篇北京大学
  • 7篇江苏大学
  • 2篇大连理工大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中山大学
  • 2篇北京大学第六...
  • 1篇北京大学第三...
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇东莞理工学院
  • 1篇广东省职业病...
  • 1篇华南师范大学
  • 1篇天津大学
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  • 1篇中国航天员科...
  • 1篇佛山市馨园照...
  • 1篇东莞市中镓半...
  • 1篇常州市武进区...
  • 1篇东莞市中实创...
  • 1篇北京大学宽禁...
  • 1篇江苏伯乐达光...

作者

  • 79篇童玉珍
  • 69篇张国义
  • 27篇陈志忠
  • 25篇杨志坚
  • 23篇秦志新
  • 16篇于彤军
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  • 9篇康香宁
  • 8篇丁晓民
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  • 8篇金泗轩
  • 7篇左然
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  • 6篇林亮
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  • 3篇章蓓
  • 3篇何仲恺
  • 3篇李非

传媒

  • 13篇发光学报
  • 7篇Journa...
  • 5篇半导体光电
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇照明工程学报
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇激光生物学报
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  • 1篇物理
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  • 1篇中国职业医学
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  • 1篇化工进展
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  • 1篇中国科学：技...
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年份

  • 1篇2023
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  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN基大功率倒装焊蓝光LED的I-V特性研究
测量了GaN基大功率倒装焊蓝光发光二极管(LED)在不同温度、不同老化阶段的电流-电压(I-V)特性曲线,其六个对应区域--反向偏压区、正向漏电流区、产生-复合电流区、扩散电流区、大注入区和串联电阻区,均偏离理想情形:反...
林亮陈志忠童玉珍于彤军秦志新张国义
关键词：氮化镓倒装焊电流电压特性
文献传递
GaN及其三元化合物的MOCVD生长和性质及蓝光LED的研究
GaN及其三元化合物在制备高亮度蓝光、绿光和白光LED，短波长激光器，紫外光探测器和高温电子器件等方面有着广泛的应用，与之相应的物理和技术的研究，开创了第三代半导体材料与器件研究的新领域。　　本论文工作以发展氮化物蓝光L...
童玉珍
关键词：三元化合物蓝光发光二极管
InGaAsSb四元固溶体的团簇效应被引量：1
1994年
在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．
童玉珍杨锡震王占国周伯骏
关键词：半导体材料INGAASSB固溶体
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱(英文)被引量：3
2001年
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层。用X射线衍射 (XRD) ,光致发光谱(PL) ,光吸收谱等测量手段 ,研究了InGaN的辐射发光机制。In组分利用Vegard定理和XRD测量得到。我们发现随着In组分的增加 ,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾 ;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导 ,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽。我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构 ,从而影响了光学吸收特性。而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源。
陈志忠秦志新杨志坚童玉珍童玉珍张国义
关键词：INGAN光致发光
场景化的LED整体照明系统及其特征
本文简述了LED用于照明带来的深刻影响,提出了场景化的整体照明系统概念及其基本内涵,和实现这一概念的LED灯具的发展方向.
童玉珍
关键词：发光二极管半导体照明绿色照明
文献传递
人工LED光源在猪场养殖的应用研究被引量：1
2022年
随着工业化养猪业的兴起和非洲猪瘟等疾病的发生,猪场空气、光照、温湿度等环境因素受到更多关注。但光照对猪的影响往往被忽视。其实光有很好的杀菌效果,而且光能影响动物的新陈代谢、日常行为、生长周期、繁殖性能等,与动物生长发育有直接关系。通常情况下,猪舍光照分为自然光照射和人工补光两种,随着猪场规模化发展及猪瘟的影响,大跨度、全封闭式猪舍越来越多,高密闭性猪舍光源基本依赖于舍内人工照明系统。如何利用LED人工光源调节猪的生长节律,提高生长速率,降低死亡成为行业关注热点。
童玉珍童玉珍陈聪刘涛胡志平
关键词：非洲猪瘟人工补光生长节律人工照明人工光源LED光源
InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱
2001年
我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.
陈志忠秦志新杨志坚童玉珍丁晓民张国义
关键词：INGAN光致发光
MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究
2001年
利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.
秦志新陈志忠童玉珍陆曙张国义
关键词：INGANMOCVD
一种高亮度近紫外LED及其制备方法
本发明公开了一种高亮度近紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。该LED结构结构从下向上依次为：图形化蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、n-In<Sub>x1</Sub>G...
贾传宇于彤军殷淑仪张国义童玉珍
蓝光LED InGaN有源区的制备及其发光特性研究被引量：2
2000年
本文报导了运用 L P- MOCVD制备蓝光 L ED In Ga N有源区的最近进展 ,以及高温生长技术带来的优越性。通过对 Zn掺杂 In Ga N薄膜发光特性的分析 ,发现其光致荧光 (PL )谱中 ,与 Zn掺杂有关的发光峰的强度受该生长温度下 Zn在 In Ga N中的溶解度的限制。利用我们的实验方法 ,使得 In Ga N有源区的发光波长在蓝光区内可任意调节 ,并给出了得到的几个典型的荧光谱。
童玉珍李非杨志坚金泗轩丁晓民张国义
关键词：发光性质发光二极管蓝光
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