杨文伟
- 作品数：12 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金美国国家自然科学基金美国国家科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究
- 2004年
- 采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层。借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系。
- 邢玉梅俞跃辉林梓鑫宋朝瑞杨文伟
- 关键词：碳化硅埋层离子束合成退火
- 新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文)被引量：1
- 2004年
- 提出一种图形化 SOI L DMOSFET结构 ,埋氧层在器件沟道下方是断开的 ,只存在于源区和漏区 .数值模拟结果表明 ,相对于无体连接的 SOI器件 ,此结构的关态和开态击穿电压可分别提高 5 7%和 70 % ,跨导平滑 ,开态 I-V曲线没有翘曲现象 ,器件温度低 10 0 K左右 ,同时此结构还具有低的泄漏电流和输出电容 .沟道下方开硅窗口可明显抑制 SOI器件的浮体效应和自加热效应 .此结构具有提高 SOI功率器件性能和稳定性的开发潜力 .
- 程新红杨文伟宋朝瑞俞跃辉沈达升
- 关键词：LDMOS浮体效应自加热效应
- 一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路
- 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分...
- 龚正辉董业民杨文伟陈晓杰
- 文献传递
- 高性能图形化SOI功率器件的研制被引量：2
- 2005年
- 利用掩膜注氧隔离技术(Masked SIMOX)制备图形化SOI衬底,采用与常规1μm SOI CMOS工艺兼容的工艺流程,制备了图形化SOI LDMOS功率器件。器件的输出特性曲线中未呈现翘曲效应、开态击穿电压高于6V、关态击穿电压达到13V、泄漏电流的量级为10-8A;截止频率为8GHz;当漏工作电压3.6V,频率为1GHz时,小信号电压增益为6dB。直流和射频电学性能表明,图形化SOI LDMOS结构作为射频功率器件具有较好的开发前景。
- 程新红宋朝瑞杨文伟俞跃辉
- 关键词：LDMOS射频功率器件增益
- 一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路
- 本发明涉及一种超低温下SRAM时序电路的温度自适应补偿电路，其包括：一基准源，其提供一组基准电压；一温度检测模块，其提供一随温度变化的检测电压；一与所述基准源和温度检测模块连接的多路补偿码产生模块，其将所述一组基准电压分...
- 龚正辉董业民杨文伟陈晓杰
- 文献传递
- SOI LDMOS功率器件的研究与制备被引量：1
- 2007年
- 根据REUSRF原理,对器件参数进行优化。采用与常规CMOS工艺兼容的技术,在SIMOX片上制备了薄膜SOI LDMOS功率器件。器件呈现良好的电学性能:漏极偏压5V时,泄漏电流仅为1nA;当漂移区长度为4μm时,关态击穿电压达到50V,开态击穿电压大于20V;器件的输出曲线在饱和区光滑,未呈现翘曲现象,说明体接触有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应。这种SOI LDMOS结构非常适合高温环境下功率电子方面的应用开发。
- 程新红杨文伟宋朝瑞俞跃辉姜丽娟王芳
- 关键词：SOI材料功率器件
- 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法
- 本发明提出了一种局部绝缘体上的硅(partial SOI)制作功率器件，一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDMOS)的结构及实现方法。这种局部SOI LDMOS器件的结构特征在于源端远离沟道区的下方无埋氧，有利于散热...
- 杨文伟俞跃辉董业民程新红
- 文献传递
- 晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法
- 本发明涉及了一种将晶体管和碳纳米管场发射显示阵列集成在一起的结构，以及实现这种结构的方法。其特征在于将晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，再在该漏上制作碳纳米管场发射显示阵列，以达到利用晶体管优良的电流控制特...
- 张继华杨文伟董业民王曦于伟东冯涛
- 文献传递
- CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺被引量：1
- 2005年
- 采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火前后的样品进行分析,其结果证明了结晶质量较好的多晶β-SiC不连续埋层的形成。
- 邢玉梅俞跃辉陈可炜郑志宏杨文伟
- 关键词：甲烷等离子体碳化硅离子注入
- SOI RESURF原理研究及SOI LDMOS研制
- 随着集成电路技术的不断发展，功率器件的研究也受到广泛关注，新型功率器件不断涌现，特别是由于MOS栅功率器件的出现，引发了功率集成电路(PICs：PowerIntegratedCircuits)的概念，即将功率器件和逻辑控...
- 杨文伟
- 关键词：集成电路功率集成电路叠层栅介质击穿电压
- 文献传递
