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梁波

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇正电子
  • 1篇透射
  • 1篇透射率
  • 1篇退火
  • 1篇退火研究
  • 1篇离子注入
  • 1篇慢正电子束
  • 1篇纳米
  • 1篇MONTE_...
  • 1篇MONTEC...

机构

  • 2篇武汉大学

作者

  • 2篇梁波
  • 1篇马莉
  • 1篇陈海波
  • 1篇蒋昌忠
  • 1篇黄长虹

传媒

  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇第八届全国正...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
慢正电子束注入多孔硅材料的Monte Carlo模拟
2003年
建立了慢正电子束注入多孔硅材料的MonteCarlo模型 ,研究了在该材料中不同孔洞的直径、孔洞体积百分比对正电子几率分布的影响 ,得到了相应的正电子深度分布曲线 .同时分析了不同能量正电子平均注入深度的分布 ,通过适当的标度 ,得到了统一描述正电子分布的公式 ,为慢正电子束对多孔材料的实验和理论研究提供有用的数据和计算模型 .
梁波马莉黄长虹
关键词：慢正电子束MONTECARLO模拟
正电子研究Ag离子注入SiO<,2>玻璃形成纳米晶粒缺陷及退火研究
用正电子探测的方法检测Ag离子注入SiO<,2>玻璃样品,与基片进行比较.注入样品的缺陷导致了正电子湮灭参数的显著变化.用Nelt程序对湮没数据进行拟合,分析两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数.讨论不同剂...
陈海波蒋昌忠梁波
关键词：正电子离子注入透射率
文献传递
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共1页<1>
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