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梁波
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2
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供职机构:
武汉大学物理科学与技术学院
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发文基金:
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相关领域:
理学
电子电信
化学工程
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合作作者
黄长虹
武汉大学物理科学与技术学院
蒋昌忠
武汉大学物理科学与技术学院
陈海波
武汉大学物理科学与技术学院
马莉
武汉大学物理科学与技术学院
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慢正电子束注入多孔硅材料的Monte Carlo模拟
2003年
建立了慢正电子束注入多孔硅材料的MonteCarlo模型 ,研究了在该材料中不同孔洞的直径、孔洞体积百分比对正电子几率分布的影响 ,得到了相应的正电子深度分布曲线 .同时分析了不同能量正电子平均注入深度的分布 ,通过适当的标度 ,得到了统一描述正电子分布的公式 ,为慢正电子束对多孔材料的实验和理论研究提供有用的数据和计算模型 .
梁波
马莉
黄长虹
关键词:
慢正电子束
MONTECARLO模拟
正电子研究Ag离子注入SiO<,2>玻璃形成纳米晶粒缺陷及退火研究
用正电子探测的方法检测Ag离子注入SiO<,2>玻璃样品,与基片进行比较.注入样品的缺陷导致了正电子湮灭参数的显著变化.用Nelt程序对湮没数据进行拟合,分析两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数.讨论不同剂...
陈海波
蒋昌忠
梁波
关键词:
正电子
离子注入
透射率
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